Formation and structural studies of integrated membranes based on channel silicon

Abstract

Омский научный центр СО РАН, г. Омск ФормИроВанИЕ и СтРуктуРНые иССледОвАНия иНтегРиРОвАННых мембРАН НА ОСНОве кАНАльНОгО кРемНияПредложен способ получения структур для интегрированных мембран на ос-нове канального кремния. в работе рассмотрены особенности формирования сквозных каналов в элек-тронном кремнии в зависимости от состава электролита, концентрации носи-телей заряда и режимов анодного травления. Показано, что при использо-ванных режимах формируются пористые структуры в форме «бутылочных горлышек». установлено, что в электролите состава HF: C 3 H 7 OH для получения пористых слоев толщиной более 100 мкм необходимо прерывать процесс анодного травления, что обусловлено особенностями порообразования. для электролита состава HF:(CH 3 ) 2 CO продолжительность травления может быть более длительной, что связано с более высокой растворимостью водорода в ацетоне по сравнению с изопропанолом. Средний диаметр пор в данном электролите растет более медленно с глубиной по сравнению с использова-нием электролита HF:C 3 H 7 OH. данный эффект можно объяснить облегчением диффузии в структурах не только водорода, но и ионов фтора.ключевые слова: пористый кремний, растровая электронная микроскопия, мембраны.Работа выполнена по государственному заданию ОНЦ СО РАН в соответствии с Программой фундаментальных научных исследований государственных ака-демий наук на 2013-2020 годы по направлению II.9, проект № II.9.2.1 (номер госрегистрации в системе егиСу НиОктР АААА-А17-117041210227-8).Введение. В настоящее время существует про-блема в создании и применении новых материалов для микросистемной техники. Большое внимание уделяется поиску и созданию материалов с новы-ми свойствами и более эффективными электрофи-зическими и эксплуатационными показателями для приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы омсКиЙ наУЧныЙ ВестниК № 3 (159) 2018