Fundamental Point Defect Properties in Ceramics

Burr, Patrick A.; Rushton, Michael; Chroneos, Alexander; Grimes, Robin W.

doi:10.1016/b978-0-12-803581-8.11787-4

Cited by 1 publication

(2 citation statements)

References 49 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…O átomo deslocado é movido para uma nova posição intersticial [23]. Um esquema simplificado da difusão intersticial indireta é apresentado na Figura 3.…”

Section: Fundamentos Teóricosunclassified

“…Este mecanismo é importante para a difusão de dopantes como o boro em silício [24], autodifusão de íons pequenos em cerâmicas ionocovalentes como UB2 [25] e WC [26] e difusão de oxigênio em óxidos hiper-estequiométricos, como La2NiO4+δ [27]. Fonte: [23] Para que essa movimentação pela rede cristalina seja possível, os átomos próximos a uma vacância ou átomos em posições intersticiais devem vencer a barreira de migração, Em, que é a energia necessária para torná-los móveis. Essa barreira depende da espécie móvel e da temperatura.…”

Section: Fundamentos Teóricosunclassified

See 1 more Smart Citation

Preparação e caracterização do condutor iônico à base de La-Sr-Ga-O

Carvalho¹

View full text Add to dashboard Cite

Gostaria de agradecer ... À minha orientadora, Dra. Eliana Navarro do Santos Muccillo, pela orientação, apoio, incentivo e confiança. Ao Dr. Reginaldo Muccillo pelos ensinamentos e contribuições, Ao IPEN pela oportunidade de realizar esse trabalho, À Yone V França, pela ajuda nas análises térmicas e pelo zelo com o laboratório, Ao laboratório de Microscopia e Microanálise do CECTM/IPEN. Aos membros da banca pelo aporte nesse trabalho. Aos meus pais, Ivaneide de Almeida Carvalho e José Miranda de Carvalho, que sempre me apoiaram e me ajudaram em cada conquista na minha vida. Aos meus irmãos Jean Carlos Almeida Carvalho e Beatriz Almeida Carvalho, meus primeiros melhores amigos que sempre estão dispostos a me ajudar. Aos meus padrinhos, que me acompanham sempre lado a lado me auxiliando.A toda minha família e amigos, que sempre me trouxeram paz e apoio para eu poder seguir, lembrando tudo que conquistamos juntos e tudo que iremos conquistar unidos.À minha companheira Fernanda Valeriano Santos pela compreensão nas minhas ausências e pelo incentivo constante aos estudos.Aos meus amigos do laboratório que compartilharam durante esse tempo muito conhecimento e momentos de harmonia que somaram ao nosso convívio e amizade,

show abstract

“…O átomo deslocado é movido para uma nova posição intersticial [23]. Um esquema simplificado da difusão intersticial indireta é apresentado na Figura 3.…”

Section: Fundamentos Teóricosunclassified

Preparação e caracterização do condutor iônico à base de La-Sr-Ga-O

Carvalho¹

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Fundamental Point Defect Properties in Ceramics

Cited by 1 publication

References 49 publications

Preparação e caracterização do condutor iônico à base de La-Sr-Ga-O

Preparação e caracterização do condutor iônico à base de La-Sr-Ga-O

Contact Info

Product

Resources

About