Hall Mobility and Interband Scattering of Electrons in the Vicinity of Different-Valley Crossing L1 ? ?1 in Ge with Doubly-Charged Impurity of Gold

The impact of intrinsic conductivity on the mechanisms of tensoresistance of uniaxially deformed n-Ge single crystals

“…Як наслiдок спостерiгався деформацiйноiндукований фазовий перехiд метал-дiелектрик, що пов'язаний з деформацiйним перерозподiлом електронiв мiж мiнiмумами зони провiдностi типу L 1 та ∆ 1 з рiзною ефективною масою та виникненням за рахунок одновiсного тиску енерґетичної щiлини мiж домiшковою зоною та зоною провiдностi. У працi [9] дослiджено питомий опiр та коефiцiєнт Голла для n-Ge з двозарядним глибоким рiвнем золота залежно вiд гiдростатичного тиску за кiмнатної температури.…”