High-Resolution X-Ray Diffractometry of Crystalline Compounds with Developed Dislocation Structure

Abstract

Структурні дефекти кристалічних сполук впливають на працездатність приладів, виготовлених на основі таких матеріалів. Запропоновано методику розрахунку дислокаційної структури таких сполук з проміжними значеннями густин дислокацій (∼10 5 -10 6 см −2 ). Показано вплив різного роду дефектів на формування дифузної та когерентної складових розподілів інтенсивності розсіяння Х-променів. Розглянуто вірогідні дислокаційні реакції як на межах блоків, так і всередині кристалів. На основі кінематичної теорії Кривоглаза з використанням методу Монте-Карло дос-