Improvement of Phosphorus Diffused Silicon Solar Cells by Laser Treatment

Emploi de lasers dans la technologie des photopiles

“…3 RÉACTIVATION DES DOPANTS. -Il a été montré récemment que la fraction de dopants inactive peut être notablement réduite par une impulsion laser d'énergie 1-1,5 j/CM2 [66,[123][124][125][126]. En effet, la résistivité de la couche superficielle chute notablement, comme il est décrit dans un autre article de ce numéro [127].…”

“…19. -Spectre de rétrodiffusion (RBS) en conditions de canalisation suivant l'axe (111 ) de particules 4He+ tombant sur du silicium comportant une couche superficielle de phosphore diffusé avant et après recuit laser [126].…”

“…Fig. 20. -Profil de la concentration de phosphore mesuré par SIMS pour différentes énergies d'un laser à rubis [126].…”

“…Cependant, aux très fortes énergies laser, il y a une augmentation de la profondeur de la jonction entraînant une perte de performances. Ceci a pu être constaté sur une cellule commerciale [126] pour laquelle Voc a dépassé 600 mV (Fig. 21) et le rendement de conversion est passé de 11,8 à 12,8 %.…”

“…21. -Variation de la tension en circuit ouvert (Voc) et du courant de court-circuit (Ise) en fonction de l'énergie d'un laser rubis pour une cellule diffusée phosphore après recuit laser [126].…”