2018
DOI: 10.30929/1995-0519.2018.1.9-14
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Improvement of the Igbt Mathematical Model With Nonlinearity of Junction Capacitances

Abstract: Запропоновано математичну модель, яка відрізняється від відомих обчисленням аналітичних виразів для час-ткових похідних за відповідними напругами на ємностях від виразів, що апроксимують статичні залежності паразитних ємностей приладу від напруги між колектором та емітером, які наводяться в каталогах. Наведена математична модель реалізована у вигляді Simulink-моделі, за допомогою якої проаналізовано ввімкнення та відключення IGBT транзистора в колі з резистивним навантаженням. Модель передбачається використову… Show more

Help me understand this report

This publication either has no citations yet, or we are still processing them

Set email alert for when this publication receives citations?

See others like this or search for similar articles