Impurity Profile Determination in Epitaxial GaAs Crystals on High-Resistivity Substrates

Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

“…Nous avons tracé en figure 3 les variations de la quantités -a V en fonction de la variable ao 03B5s/C*, où eo es est la constante diélectrique de l'arséniure de gallium, q là charge de l'électron et C* et la capacité C ramenée à l'unité de surface. Il est généralement admis que cette courbe représente le profil de dopage apparent de la couche [9,10].…”

“…Ensuite elles se translatent selon l'axe des courants drain d'une quantité dépendant de la polarisation de substrat comme le montre l'expression (9) du courant écrite sous la forme : Ce résultat est conforme à l'observation expérimentale (Fig. 4).…”