Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx

Abstract

2014 Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses couranttension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation. Abstract. 2014 For fixed reverse bias voltage, two dark current drift phenomena are observed in GaInAs/InP PIN photodiodes, passivated by silicon nitride : 1) at room temperature, a current increase occurs in time ; 2) at low temperature (T 200 K), a current decrease appears. These drifts, which lead to hysteresis in reverse current-voltage characteristics are attributed to surface effects, due to passivation technique.