Minority carrier injection and current–voltage characteristics of Schottky diodes at high injection level

Вольт-Амперные Характеристики Диодов Шоттки При Больших Плотностях Тока В Условиях Инжекции Неосновных Носителей

“…Как и в работе [14], рассмотрим для определенности ДШ с базой n-типа проводимости, равновесная зонная Рис. 1.…”

“…1. Для расче-та вольт-амперной характеристики ДШ воспользуемся моделью, предложенной в работе [14]. В рамках этой модели уравнение непрерывности при высоком уровне инжекции носителей заряда в базовом n-слое может быть записано в виде…”

“…В работе [14] с учетом этих эффектов вольт-амперная характеристика ДШ была аналитически рассчитана для высокого уровня инжекции неосновных носителей при относительно небольших плотностях тока, соответству-ющих условию j < j cr n , где…”

“…При этом в работе [14] был получен кажущийся парадоксальным результат: чем выше уровень легирова-ния базы ДШ, тем выше падение напряжения на диоде при той же плотности тока. При N d = 10 14 см −3 значения j cr n составляют ∼ 340 и ∼ 460 А/см 2 для кремния и карбида кремния соответ-ственно.…”

“…Вместе с тем в режимах ударных токов и токов короткого замыкания плотности тока в SiC-приборах существенно превышают приведенные выше значения. Так, в режиме так называемых " длинных" импульсов ударного тока с характерной длительностью, состав-ляющей половину периода промышленной частоты 50 (или 60) Гц, значения плотности тока могут составлять ∼ (6000−9000) А/см 2 [1,14]. В режиме " коротких" им-пульсов со стандартной длительностью 8/20 мкс, т. е. треугольных импульсов с временем нарастания 8 мкс и временем спада 20 мкс, значения плотностей ударных токов могут составлять ∼ (60−100) кА/см 2 [15].…”