Mobilidade eletrônica e viabilidade do 4H-SiC para a indústria de semicondutores/ Electron mobility and feasibility of 4H-SiC for the semiconductor industry

Abstract

O objetivo deste trabalho é determinar os efeitos do tipo de dopagem e da orientação do campo elétrico aplicado na mobilidade eletrônica do semicondutor SiC na fase 4H, conhecido como 4H-SiC. Este semicondutor tem se mostrado de grande interesse tecnológico, principalmente pela possibilidade de sua aplicação em condições extremas de operação, tais como: altas temperaturas, altas tensões, altas pressões, altos níveis de radiação eletromagnética. Para alcançar os objetivos deste trabalho foi utilizado um ensemble estatístico para sistemas fora do equilíbrio, conhecido como Método do Operador Estatístico de Não Equilíbrio. Este método tem sido aplicado com muito êxito em materiais semicondutores. Aqui neste trabalho foi obtido que a maior mobilidade ocorre quando o campo elétrico é aplicado perpendicularmente ao eixo cristalográfico c do semicondutor 4H-SiC. Vericou-se também que a dopagem mais eficiente é a dopagem tipo n.