2016
DOI: 10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

On the way to a neuromorphic memristor computer platform

Abstract: Интерес к эффектам переключения сопротивления в наноразмерных пленках, как правило, оксидов переходных металлов, возник достаточно давно и стимулирован сравнительно недавней публикацией сотрудников Hewlett-Packard Д.Струкова, Р.C.Вильямса и др. (Nature, 2008), объявивших об обнаружении "неуловимого" мемристора -резистора с памятью (memory resistor), теоретически предсказанного в 1971 году Л.Чуа. Это открыло серьезные перспективы создания резистивной памяти произвольного доступа (ReRAM), в ячейках которой данны… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0

Year Published

2017
2017
2023
2023

Publication Types

Select...
4
1

Relationship

0
5

Authors

Journals

citations
Cited by 7 publications
references
References 21 publications
0
0
0
Order By: Relevance