Optical properties of hydrogenated sputtered silicon in the 0–13 eV photon energy range

Pajasová, L.; Abraham, A.; Gregora, I.; Závětovà, M.

doi:10.1016/0165-1633(80)90015-5

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“…la figure 1 (courbes a). Le maximum de E2 est centre a sition sous plasma a Tr = 240-260 °C par Pajasova et al [ 15], mais assez differents de ceux obtenus pour des couches preparees par la meme m6thode avec une temperature de support elevee, T s = 400 °C, ou pour une couche d6pos6e par CVD a T, = 600 OC, par Weiser et al [16]; dans ces demiers cas, le maximum de B2 se trouve a plus faible 6nergie, 3,5 eV environ. Nos valeurs de si dans le proche infra-rouge sont par contre de 1'ordure de celles trouv6es…”

unclassified

Effets du recuit sur les propriétés optiques du silicium amorphe hydrogéné

Chahed¹,

Thèye²,

Bourdon³

1983

J. Phys. France

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On étudie l'évolution au cours du recuit des propriétés optiques de couches minces de a-Si: H préparées par décomposition sous plasma sur support à haute température. Les résultats sont analysés en fonction de la variation de la concentration d'hydrogène déterminée dans un travail antérieur. Ils permettent de préciser la façon dont l'hydrogène est incorporé au réseau de a-Si et dont il affecte sa densité d'états électroniques

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unclassified

Effets du recuit sur les propriétés optiques du silicium amorphe hydrogéné

Chahed¹,

Thèye²,

Bourdon³

1983

J. Phys. France

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Penn‐like model calculations application to hydrogenated amorphous silicon films prepared by glow discharge

Ravindra

Ance

Ferraton

et al. 1983

Physica Status Solidi (b)

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Recent model calculations are studied of Ance e t al. concerning the valence electron density and hydrogen concentration in hydrogenated amorphous silicon films prepared by glow discharge decomposition of silane. This study is essentially necessitated by the fact that the model of Ance et al. yields values of Penn gap which are fairly large when compared to energies corresponding to peaks in the spectra of the imaginary part of the dielectric constant. Also a method is proposed to evaluate the density of the films. The densities hence determined are shown to be in accord with available experimental data. In the passing, results of the electronic polarizability of these films are also reported. Es werden die neueren Modellrechnungen von Ance e t nl. iiber die Dichte der Valenzelektronen undWasserstoffkonzentration in hydrogenisierten amorphen, durch Glimmentladungszersetzung von Silan hergest,ellten Siliziumschichten untersucht. Dies wird wesentlich durch die Tatsache erforderlich, daI3 das Modell von Ance et al. Werte fur das Penn-Gap liefert, die im Vergleich zu den Energien, die den Maxima in den Spektren des Imaginiirteils der Dielektrizitatskonstante entsprechen, ziemlich groB sind. Es wird eine Methode zur Berechnung der Schichtdichten vorgeschlagen. Die so bestimmten Dichten befinden sich in Ubereinstimmung mit vorhandenen experimentellen Werten. Des weiteren werden Ergebnisse der elektronischen Polarisierbarkeit dieser Schichten mitgeteilt.

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Time‐Resolved Reflectivity Measurements on RF Sputtered a‐Si:H Alloy

Lue

1984

Physica Status Solidi (b)

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Photoinduced carrier lifetimes of R F sputtered a-Si : H alloy are measured by time-resolved reflectivity and photoconductivity decay methods. Both experiments indicate a lifetime of about 5 ps. A calculation of the relaxation time of photogenerated carriers from extended mobility edge to midgap localized states satisfactorily agrees with this value.Photoinduzierte Tragerlebensdauern in HF-aufgestaubten a-Si : H-Legierungen werden mit zeitaufgelosten Reflexions-und Photoleitungsabklingmethoden gemessen. Beide Experimente zeigen eine Lebensdauer von etwa 5 ps. Eine Berechnung der Relaxationszeit der photoangeregten TrLger aus den lokalisierten Zustanden von der ausgehenden Beweglichkeitskante bis zur Bandmitte stimmt mit diesem Wert uberein.

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