2010
DOI: 10.1080/10408430903245369
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Porous Semiconductors: Advanced Material for Gas Sensor Applications

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

0
53
0
2

Year Published

2010
2010
2018
2018

Publication Types

Select...
9
1

Relationship

1
9

Authors

Journals

citations
Cited by 116 publications
(55 citation statements)
references
References 252 publications
0
53
0
2
Order By: Relevance
“…At present, the interest extends to other applications of PSi including micromachining [153][154][155][156] and sensor applications. 111,130,135,[157][158][159][160][161][162][163] Porous silicon (PSi) layers are very attractive from a sensor point of view because of the unique combination of a rather perfect single-crystalline structure, a huge internal surface area of up to 200 to 1.000 m 2 /cm 3 with a concomitant enhancement of the adsorbate effects, and often a very high activity in Downloaded by [Stanford University Libraries] at 04: 49 11 October 2012 surface chemical reactions. 163 Numerous researchers have shown that many parameters of a PSi vary as a function of a change in the gas and liquid environment in which the PSi is being kept.…”
Section: Fields Of Porous Si Applicationsmentioning
confidence: 99%
“…At present, the interest extends to other applications of PSi including micromachining [153][154][155][156] and sensor applications. 111,130,135,[157][158][159][160][161][162][163] Porous silicon (PSi) layers are very attractive from a sensor point of view because of the unique combination of a rather perfect single-crystalline structure, a huge internal surface area of up to 200 to 1.000 m 2 /cm 3 with a concomitant enhancement of the adsorbate effects, and often a very high activity in Downloaded by [Stanford University Libraries] at 04: 49 11 October 2012 surface chemical reactions. 163 Numerous researchers have shown that many parameters of a PSi vary as a function of a change in the gas and liquid environment in which the PSi is being kept.…”
Section: Fields Of Porous Si Applicationsmentioning
confidence: 99%
“…Застосування полімерних плівок призводить, проте, до зростання деградаційних процесів у структурах і ускладнює технологію. Сен-сори на пористому кремнії мають високу чутливість, але у той же час мають значні гістерезис і час відгуку, нелінійність робочої характеристики [3]. Для створення сенсорів вологості газових середовищ значний інтерес представляють також кремнієві МОН -струк-тури (метал -оксид -напівпровідник) з нано-розмірним власним оксидним шаром на моно-кристалічному кремнії, так як нанорозмірні оксиди структур в залежності від технології їх виготовлення можуть мати значну пористість [4,5], а стан межі розділу кремній -оксид, що змінюється при адсорбції молекул води, на-багато сильніше впливає на електричні харак-теристики таких структур, чим в традиційних МОН -структурах [5].…”
Section: вступunclassified
“…Recently, we have outlined the construction of conductometric sensors that demonstrate considerably higher sensitivities than traditional metal oxide sensors [2][3][4][5][6][7][8]. These simple sensor platforms do not require film-based technology, operate at room temperature, and are produced without the use of time-consuming self-assembly processes.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 98%