1998
DOI: 10.1007/bf02375789
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Preparation of thin film SOFCs working at reduced temperature

Abstract: Abstract. SOFCs are expected to become competitive devices for electrical power generation, but successful application is dependent on decreasing working temperature from 1000 to 800 ~ without detrimental effects on resistance and on electrode processes. This requires a reduction of the stabilised zirconia electrolyte thickness and an optimisation of the electrodes and interfaces.We have studied the preparation of a thin film SOFC device working at intermediate tem-

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“…En la figura 2 se muestran los ritmos de crecimiento de las capas de YSZ para dos concentraciones diferentes de Zr(tmhd) 4 teniendo en cuenta que la proporción de Y(tmhd) 3 es siempre del 20% para obtener la fase cúbica del YSZ como se verá más adelante. El ritmo de crecimiento aumenta, de forma similar para las dos concentraciones, al aumentar el tiempo de apertura del inyector ya que se aumenta el volumen de la gota de 6 a 8 μl aproximadamente.…”
Section: Capas De Ysz Sobre Siliciounclassified
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“…En la figura 2 se muestran los ritmos de crecimiento de las capas de YSZ para dos concentraciones diferentes de Zr(tmhd) 4 teniendo en cuenta que la proporción de Y(tmhd) 3 es siempre del 20% para obtener la fase cúbica del YSZ como se verá más adelante. El ritmo de crecimiento aumenta, de forma similar para las dos concentraciones, al aumentar el tiempo de apertura del inyector ya que se aumenta el volumen de la gota de 6 a 8 μl aproximadamente.…”
Section: Capas De Ysz Sobre Siliciounclassified
“…El ritmo de crecimiento aumenta, de forma similar para las dos concentraciones, al aumentar el tiempo de apertura del inyector ya que se aumenta el volumen de la gota de 6 a 8 μl aproximadamente. En la figura 3 se muestra el efecto de la temperatura de depósito sobre el ritmo de crecimiento para las capas obtenidas con: 3mseg a 1Hz y 100 mg/ml de Zr(tmhd) 4 . Se observan claramente las dos zonas de crecimiento típicas del CVD: desde 550 a 700ºC aproximadamente el crecimiento es controlado por la temperatura de depósito con el régimen cinético ("kinetic-limited regime") mientras que a temperatura superiores entre 750 y 900 ºC, el régimen es difusivo y controlado por la ritmo de aporte de precursor a la reacción ("mass-transfer limited regime").…”
Section: Capas De Ysz Sobre Siliciounclassified
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“…Trata-se de uma tecnologia extremamente eficiente e de concepção ambiental, pois emite concentrações desprezíveis de NO x , quando comparados a outros processos de combustão [2,3]. As diferentes tecnologias de pilha a combustível têm basicamente o mesmo princípio: são compostas por dois eletrodos porosos -o ânodo (terminal negativo) onde ocorre a reação com o combustível e o cátodo (terminal positivo) onde flui o oxigênio, separados por um eletrólito (material impermeável que permite movimento aos íons positivos entre os eletrodos) [1][2][3][4][5][6].…”
Section: Introductionunclassified
“…A tecnologia de obtenção de pilhas a combustível atualmente apresenta uma grande diversificação para diferentes aplicações, como o tipo de eletrólito determina a temperatura de operação da pilha que é um dos parâmetros mais importantes no seu desenvolvimento, em geral a classificação da pilha é dada de acordo com o material formador do eletrólito [5][6][7][8][9]. As pilhas a combustível de óxido sólido (PaCOS) são estruturas multicamadas consistindo de materiais cerâmicos e metálicos, operando em temperaturas de 600 a 1000 ºC.…”
Section: Introductionunclassified