Rôle des centres profonds dans la dégradation lente des dispositifs électroluminescents

Abstract

La dégradation lente des dispositifs électroluminescents est généralement attribuée à la recombinaison non (ou faiblement) radiative des porteurs injectés sur des centres profonds qui se concentrent et se fixent dans le volume de la zone active.Les expériences récentes s'efforcent : -d'une part de caractériser et d'identifier les défauts responsables ; -d'autre part, d'étudier les mécanismes de migration et de fixation des défauts dans la zone active. Diverses techniques ont été mises en oeuvre : nous citons la D.L.T.S., la photocapacitance, l'électroet la photoluminescence. Elles ont permis de détecter dans les différentes couches épitaxiales, la présence d'un petit nombre de centres profonds directement liés à la dégradation du dispositif, et de suivre l'évolution de leur concentration au cours de tests de vieillissement en régime de fonctionnement. Des hypothèses sur l'origine de ces défauts, et les solutions parfois proposées pour leur élimination sont discutées : faces latérales, substrat, zone protonée... Des mécanismes de migration en régime de fonctionnement et de fixation de ces défauts vers la zone active sont exposés.