Silicon Dioxide Films in Semiconductor Devices

New results on low-temperature thermal oxidation of silicon

“…This is so because of both the technological relevance of the Si-SiO 2 interface (1,2) with the associated important scientific questions pertaining to oxide film growth kinetics (3,4), and the general questions pertaining to the origin and control of electronics properties of semiconductor surfaces.…”

Fabricação de um forno de tratamento térmico visando oportunidades de prestação de serviços para desenvolvimento de novos materiais e processos para a indústria metalúrgica, cerâmica, de polímeros e de microeletrÿnica

“…No caso da indústria microeletrônica que visa a produção de componentes na escala de nanômetros até micrometros, essa especificação, ou seja, a necessidade de pureza extrema é um dos principais gargalos tecnológicos. Logo, uma contaminação com frações da ordem de 1 ppm (partes por milhão) de carbono, sódio, potássio e outros; podem inviabilizar processos de fabricação na etapa térmica, pois tal contaminação poderá migrar para camadas internas de microdispositivos promovendo alterações de funcionamento irreversíveis e não controladas (AITKEN et al;2013). Para atender a este mercado, um forno, além da necessidade de contar com equipamentos e processos de fabricação de alto grau de pureza, precisam ainda atingir faixas de temperatura da ordem de 900 a 1500 °C (SOMETANI; 2017).…”