Simulation of field electron emission of C and SiC nanotubes

Sorokina, Veronika; Nikiforov, Konstantin

doi:10.1109/vmneyr.2016.7880415

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 20 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Края слоев двухмерных полупроводниковых наноматериалов, например, графена, гафния, также обладают высокой эффективностью эмиссии и могут рассматриваться как полевые эмиттеры [9][10][11][12][13]. Построение адекватных математических моделей для полевых эмиссионных систем, а так же их численная реализация позволяют правильно интерпретировать имеющиеся данные [14][15][16].…”

Section: Introductionunclassified

Математическое Моделирование Двумерной Диодной Системы С Полевым Эмиттером Лезвийной Формы

Виноградова¹,

Доронин²,

Егоров³

2020

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

In this paper the calculation of the electrostatic potential distribution for a two-dimensional diode emission system with a blade-shaped field emitter on a plane substrate is presented. The anode is a plane parallel to the substrate. To calculate the potential distribution, the effect of the emitter is simulated as the effect of a charged line, so that the emitter surface is zero equipotential. To solve the boundary problem, the method of separation of variables in Cartesian coordinates is used. All geometrical sizes of the diode system are parameters of the problem.

show abstract