“…Ako su dimenzije ovih struktura takve da su one neograničene duž XY ravni, a duž z-ose veoma ograničeni, sa debljinom L = Na, gdje je N < 10, a a -parametar kristalne rešetke, onda takve filmove nazovamo ultra-tankim filmovima ili nanofilmovima. Posmatraćemo simetrično perturbovan dielektrični nano-film, koji se praktično može realizovati kontrolisanim "isjecanjem" balk strukture [12,15]. Ovakav "top-down" pristup fabrikovanja nanostruktura rezultuje postojanjem graničnih površina u kojima su energije eksitona na čvorovima kristalnog nano-filma perturbovani, ali su takođe perturbovane i energije eksitonskih tranfera između graničnih ravni (n z = 0; n z = N) i njihovih prvih susjednih ravni (n z = 1; n z = N -1).…”