Study of the electron lithography parameters by AFM

Abstract

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов (ИПТМ) РАН, Россия, г. Черноголовка ИЗУЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ ПОСРЕДСТВОМ АСМ В работе рассматривается один из методов формирования микро-и нано-изображений с высокой точностью контролирования процесса-электронная литография. По сравнению с остальными технологиями наноструктурирования, в частности, с такими как фотолитография, рентгеновская литография, электронная литография является более универсальной. Если не требуется высокая производительность, то можно обойтись только одной электронной литографией. В данной работе описаны технологические процессы электронной литографии на кремниевой подложке с применением резиста на основе полимера ПММА. Облучение проводилось в камере СЭМ электронами с энергией 5 кэВ, 15 кэВ, 30 кэВ и дозой экспонирования 1-10000 мкКл/см 2. Анализ полученных образцов с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии (АСМ) показал зависимость цвета и соответствующей толщины резиста от дозы облучения. На основе профилей толщины резиста, полученных с помощью АСМ, был проведен расчет таких параметров как положительная и негативная чувствительность, также контраст, которые являются определяющими параметрами для электронной литографии. В дополнение к значимости измеренных характеристик: чувствительности и контраста, представленная методика открывает экспериментальный способ изучения процессов взаимодействия электронов с веществом.