Surface barrier lithium drifted silicon detector with evaporated guard ring

Belcarz, E.; Chwaszczewska, J.; Slapa, M.; Szymczak, M.; Tys, J.

doi:10.1016/0029-554x(70)90580-x

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“…O valor desta corrente pode ser grande em relação à volumétrica e depende de fatores como: tipo do encapsulamento empregado no dispositivo, umidade e muitas outras contaminações da superfície do detector por digitais, óleo da bomba de vácuo e outros vapores condensados, que geram portadores de carga indesejados [61]. Para reduzir esta corrente, uma das técnicas utilizadas é colocar anéis de guarda na estrutura do diodo [62][63][64].…”

Section: Corrente De Fugaunclassified

"Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"

Camargo¹

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IIDedico este trabalho à minha família, em especial para meus pais; à minha namorada e seus pais; aos meus amigos e a Deus. III AGRADECIMENTOSGostaria expressar os meus mais sinceros votos de gratidão a todos aqueles que de uma forma ou de outra contribuíram para a execução desta dissertação de mestrado. Em particular, desejo agradecer: À Profa. Dra. Carmen Cecília Bueno Tobias (IPEN-CNEN/SP e PUC/SP) pelas exaustivas discussões, dedicação, amizade e orientação nesta etapa tão importante da minha vida e por todos os ensinamentos a mim transmitidos, que transcendem as barreiras acadêmicas chegando ao plano pessoal, desde os meus primeiros passos no mundo da pesquisa científica sempre me incentivando a atingir os meus objetivos de vida. À Profa. Dra. Josemary Angélica Correia Gonçalves (IPEN-CNEN/SP e PUC/SP) pelas orientações, amizade e dedicação do seu precioso tempo em sempre estar pronta a ajudar, colaborar e instruir-me pelos caminhos corretos do meio científico, além de toda a atenção dispensada nas correções e sugestões a esta dissertação. Ao Prof. Dr. Marcello Damy de Souza Santos (IPEN-CNEN/SP) pelo prazer de conhecê-lo e de poder desfrutar da sua elevada sabedoria e filosofia acadêmica implantada no grupo de pesquisa, que perduram até os dias atuais, com sua humildade, educação e respeito ao próximo. Ao Prof. Dr. Paulo Reginaldo Pascholati (IF-USP) por ter disponibilizado toda a infraestrutura do LAL/IF-USP e pelo voto de confiança em mim depositado. Ao Prof. Dr. Jiro Takahashi (IF-USP) pelas valiosas discussões elucidativas e ensinamentos transmitidos sobre os meandros da mecânica de precisão e pela confecção do posicionador micrométrico da fonte radioativa.

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Section: Corrente De Fugaunclassified

"Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"

Camargo¹

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Application of semiconductor detectors in crystal structure investigations

Chwaszczewska

Szarras

Szmid

et al. 1971

Phys. Stat. Sol. (a)

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A polychromatic X‐ray beam has been scattered at polycrystalline samples and the energy distribution of X‐rays diffracted under a fixed angle, 2 θ, was measured by means of semiconductor spectrometer with a Si(Li) detector. Under these conditions the X‐ray pattern is obtainable in a few minutes. The resolution of the spectrometer was about 1 keV. Good agreement between the calculated and observed positions of diffraction peaks for Al, Cu, Pt, and Au foils as well as for a powdered Si sample was obtained. For the Si sample a comparison of the observed and calculated intensities was made and good agreement was obtained.

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Room-Temperature Radiation Detectors Based on Large-Volume CdZnTe Single Crystals

Chaudhuri¹,

Mandal²

2021

Advanced Materials for Radiation Detection

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Surface barrier lithium drifted silicon detector with evaporated guard ring

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"Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"

"Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"

Application of semiconductor detectors in crystal structure investigations

Room-Temperature Radiation Detectors Based on Large-Volume CdZnTe Single Crystals

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