The electron states associated with the core region of the 60° dislocation in silicon

Abstract

A geometrical arrangement of silicon atoms corresponding to a cylinder of infinite length with a 60' dislocation core along the axis is constructed using linear elasticity theory. The one-electron energy bands of this cylinder are studied using extended Huckel theory with parameters optimized to give best fit to the absolute bulk energy bands of finite silicon crystals. Electron states localized at the atoms in the dislocation core have a profound dangling bond character and form a band in the bandgap with a width of about 0.7 eV.Eine geometrische Anordnung von Siliziumatomen entsprechend einem Zylinder unendlicher Lange mit einem 60"-Versetzungskern entlang der Achse wird mit linearer Elastizitiitstheorie konstruiert. Die Einelektronen-Energiebiinder dieses Zylindem werden unter Verwendung einer erweiterten Hackel-Theorie mit optimalenParametern untersucht, um eine optimale Anpassung an die absoluten Energiebiinder endlicher Siliziumkristalle zu erhalten. Elektronische Zustiinde, die im Versetzungskern lokalisiert sind, haben den ausgepriigten Charekter hlngender Bindungen und bilden ein Band in der Bandliicke mit einer Breite von etwa 0,7 eV.