2022 ІÌÔ (Іíñòèòóò ìåòàëîôіçèêè іì. Ã. Â. Êóðäþìîâà ÍÀÍ Óêðàїíи) Надруковано в Óкраїні. 322 O. M. BORDUN, I. Yo. KUKHARSKYY, I. I. MEDVID et al. провідність тонких плівок -Ga 2 O 3 зростає до 10 3 Ом 1 см 1 та пов'язується з мілкими донорними рівнями, зумовленими міжвузловими атомами Ґалію. За відпалу у відновній атмосфері питома провідність тонких плівок -Ga 2 O 3 :Cr 3 зростає до 10 8 Ом 1 см 1 і пов'язується з глибокими донорними рівнями, зумовленими домішковими йонами Хрому у стані Cr 2 . Проведено аналізу взаємозв'язку між люмінесценцією та провідністю в тонких плівках -Ga 2 O 3 :Cr 3 . Показано, що, змінюючи умови термооброблення тонких плівок -Ga 2 O 3 :Cr, можна змінювати концентрацію домішкових йонів Хрому у станах Cr 2 й Cr 3 і тим самим контролювати електропровідність і люмінесценцію.