The Memorizing Luminescent Crystalline Materials Based on Color Centers for Investigation the Highly Nonlinear Interaction of Light and Matter and for Other Applications

Мартынович, Е. Ф.; Dresvyansky, V. P.; Lazareva, N. L.; Михайлова, С. В.; Konyashchenko, A. V.; Kostryukov, P. V.; Perminov, B E; Bagayev, S. N.

doi:10.1364/noma.2017.now2c.6

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В [4] исследован механизм образования ЦО в тонком приповерхностном слое кристалла LiF под действием ВУФ-излучения барьерного разряда в воздухе атмосферного давления. Разрабатываются высокоэффективные люминесцентные ме-тоды исследования высоконелинейного взаимодействия света и веще-ства [5]. Таким образом, изучение ЦО, механизмов их образования при различных физических воздействиях и развитие различных приложений, связанных с ними, остаются актуальной задачей.…”

Section: поступило в редакцию 6 декабря 2017 гunclassified

Формирование тонкого люминесцирующего слоя в кристаллах LiF под действием излучения тлеющего разряда

Тютрин¹,

Глазунов²,

Ракевич³

et al. 2018

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Поступило в Редакцию 6 декабря 2017 г.Средствами конфокальной сканирующей люминесцентной микроскопии с вре-менным разрешением методом времякоррелированного счета одиночных фо-тонов исследовано образование тонких слоев люминесцирующих дефектов на гранях плоских образцов кристаллов фторида лития, размещенных в положи-тельном столбе и темном фарадеевом пространстве тлеющего газового разряда. По характеристикам спектров и кинетики люминесценции, возникшей после облучения, установлено, что в поверхностных слоях кристаллов образуются агрегатные центры окраски. Рассмотрена роль электронов, ионов и фотонов газового разряда в механизме дефектообразования. Показано, что дефекты образуются под действием фотонов вакуумного ультрафиолета. Методом тер-мостимулированной люминесценции измерено распределение интенсивности вакуумного ультрафиолетового излучения в разрядном промежутке. Основным источником этого излучения являются области анодного и катодного падения напряжения в тлеющем разряде.

show abstract

Section: поступило в редакцию 6 декабря 2017 гunclassified