Time‐Resolved Reflectivity Measurements on RF Sputtered a‐Si:H Alloy

Abstract

Photoinduced carrier lifetimes of R F sputtered a-Si : H alloy are measured by time-resolved reflectivity and photoconductivity decay methods. Both experiments indicate a lifetime of about 5 ps. A calculation of the relaxation time of photogenerated carriers from extended mobility edge to midgap localized states satisfactorily agrees with this value.Photoinduzierte Tragerlebensdauern in HF-aufgestaubten a-Si : H-Legierungen werden mit zeitaufgelosten Reflexions-und Photoleitungsabklingmethoden gemessen. Beide Experimente zeigen eine Lebensdauer von etwa 5 ps. Eine Berechnung der Relaxationszeit der photoangeregten TrLger aus den lokalisierten Zustanden von der ausgehenden Beweglichkeitskante bis zur Bandmitte stimmt mit diesem Wert uberein.