Weak convergence to isotropic complex S α S $S\alpha S$ random measure

Abstract

In this paper, we prove that an isotropic complex symmetric α-stable random measure () can be approximated by a complex process constructed by integrals based on the Poisson process with random intensity.

Гетероструктура Для Обращенного Диода На Основе Электроосажденного В Импульсном Режиме Наномассива Оксида Цинка И Изготовленной Методом SILAR Пленки Иодида Меди

“…2, b, составили E ≈ 0.08 и E ≈ 0.09 эВ для пленок CuI, осажденных на подлож-ки из слюды и стекла соответственно. В соответствии с [45,46] такие E являются свидетельством наличия в них мелких акцепторных уровней преимущественно в виде вакансий меди V Cu , которые обеспечивают высокую электропроводность иодида меди за счет формирования свободных носителей заряда h…”

“…Согласно [28,46], ими могут быть либо глубокие уровни, связанные с вакансиями иода V I [46], либо сформированные из вакансий меди V Cu широкие акцепторные зоны внутри запрещенной зоны CuI, су-ществующие в этом материале при дефиците меди на уровне 0.5% [28].…”

“…Предполага-лось, что таким способом удастся заполнить вакансии иода V I и сформировать новые мелкие акцепторные уровни в виде антиструктурных дефектов I Cu и меж-узельного иода I i . Согласно [28,46], вакансии иода V I образуют глубокие примесные центры донорного типа, способные компенсировать V Cu , и таким образом приво-дить к снижению концентрации в CuI свободных носите-лей заряда (дырок) n h , что проявляется в повышенных ρ. По аналогии с [44,45] было решено за счет обогащения пленок CuI иодом увеличить n h за счет заполнения V I и создания I Cu и I i вплоть до вырождения, т. е. до формирования p + -CuI. На рис.…”

“…Значение энергии активации электропроводности E при температурах вблизи ком-натной для пленок CuI, изготовленных методом SILAR при использовании разбавленного анионного прекурсора на стеклянной подложке, определенное согласно [38], с помощью уравнения (4) и графической зависимо-сти на рис. 2, b, E ≈ 0.08 эВ, что в соответствии с работами [45,46] является свидетельством наличия в полупроводнике мелких акцепторных уровней, обеспе-чивающих высокую электропроводность иодида меди, преимущественно в виде вакансий меди V Cu . Желтая окраска пленки, вероятно, может быть объяснена, в соответствии с [28,46], наличием внутри запрещенной зоны CuI глубоких уровней, связанных с вакансиями иода V I , и широкой акцепторной зоны, образованной вакансиями меди V Cu .…”

“…2, b, E ≈ 0.08 эВ, что в соответствии с работами [45,46] является свидетельством наличия в полупроводнике мелких акцепторных уровней, обеспе-чивающих высокую электропроводность иодида меди, преимущественно в виде вакансий меди V Cu . Желтая окраска пленки, вероятно, может быть объяснена, в соответствии с [28,46], наличием внутри запрещенной зоны CuI глубоких уровней, связанных с вакансиями иода V I , и широкой акцепторной зоны, образованной вакансиями меди V Cu . Анализ структурных параметров и оптических свойств иодированных пленок CuI, выращенных на аморфных стеклянных подложках и на поверхности поликристаллических пленок FTO (рис.…”