X-ray diffraction study of (TlInSe2)1−x (TlGaTe2) x crystal system

Шелег, А. У.; Zub, E. M.; Yachkovskii, A. Ya.; Mustafaeva, S. N.; Керимова, Э. М.

doi:10.1134/s1063774512010129

Cited by 11 publications

(1 citation statement)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Таллиевые халькогениды III группы Периодической таблицы химических элементов, характеризуются цепочечной и слоистой структурой, а соединения на основе этих материалов широко исследуются [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10]. Они характеризуются высокой чувствительностью в инфракрасной, видимой и рентгеновской областях спектра электромагнитных волн, обладают высокой тензочувствительностью.…”

Section: Introductionunclassified

Суперионная проводимость твердых растворов (TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(TlInS-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-

Sardarly¹,

Abdullaev²,

Alieva³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Синтезированы образцы твердых растворов (TlGaSe 2) 1−x (TlInS 2)x. Методом импедансной спектроскопии измерены частотные зависимости (2 • 10 1 −10 6 Гц) компонент полного комплексного импеданса и исследованы релаксационные процессы в зависимости от состава твердого раствора (TlGaSe 2) 1−x (TlInS 2)x в области растворимости (x = 0−0.4). С использованием метода эквивалентных схем замещения проанализированы полученные диаграммы на комплексной плоскости (Z ′′ −Z ′). В исследованном твердом растворе (TlGaSe 2) 1−x (TlInS 2)x при 400 K обнаружена аномалия в температурной зависимости электрической проводимости, выражающаяся в резком росте проводимости. Эта особенность связана с фазовым переходом в суперионное состояние.

show abstract