Высокоэффективный Источник Электронов С Полым Катодом Для Технологий Осаждения Тонких Пленок И Обработки Поверхностей При Форвакуумных Давлениях

Щукин, В.Г.; Константинов, В.О.; Морозов, В.С.

doi:10.21883/jtf.2018.06.46025.2544

Cited by 1 publication

(2 citation statements)

References 4 publications

(6 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…При этом линейный вид зависимости от тока говорит о том, что активация происходит прямым электронным ударом [21,22]. При этом скорость осаждения может быть увеличена вплоть до 2 нм/с за счет повышения тока до значений ∼ 300 мА [13].…”

Section: результаты эксперимента и обсуждениеunclassified

“…Целью работы являлось исследование скоростей осаждения, кристаллической структуры и фоточувствительности тонких пленок кремния, полученных газоструйным плазмохимическим методом [12] с использованием плазмотрона новой модификации [13]. Кристалличность осажденных слоев кремния определялась с помощью обработки спектров комбинационного рассеяния света (КРС).…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Осаждение Аморфных И Микрокристаллических Пленок Кремния Газоструйным Плазмохимическим Методом

Щукин¹,

Константинов²,

Шарафутдинов³

2019

Физика И Техника Полупроводников

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Using gas-jet plasma-chemical method with gas activation by an electron beam, uniform thin films of amorphous and microcrystalline silicon in the forevacuum pressure range were obtained. Effects of argon carrier gas flow rate, monosilane gas concentration, background pressure in the reaction chamber, the substrate material, and the magnitude of the activating electron beam current on the deposition rate, photosensitivity, and crystallinity of silicon layers were studied. Deposition rate above 1 nm/s was achieved for films of amorphous silicon, and for layers with crystallinity about 60% the deposition rate was exceeded 0.6 nm/s. It is established that the substrate material does not affect the structure of the deposited silicon layers and their deposition rate.

show abstract

Section: результаты эксперимента и обсуждениеunclassified

Section: Introductionunclassified