К Теории Адсорбции На Графеноподобных Соединениях

Abstract

На основании предложенной ранее модели электронного спектра бинарных графеноподобных соединений типа ANB8-N построена теория адсорбции, позволяющая выявить роль положения уровня адатома, величины константы взаимодействия адатом-подложка и ширины щели, присущей в свободном состоянии графеноподобному соединению с гетерополярными связями, в формировании электронной структуры адатома. Рассмотрены случаи свободных и эпитаксиальных графеноподобных соединений на поверхности металла. В случае свободных графеноподобных соединений анализ показал, что при больших и промежуточных значениях константы связи адатом-графеноподобное соединение основной вклад в число заполнения адатома na дают локальные состояния, тогда как с уменьшением константы связи возрастает вклад валентной зоны графеноподобного соединения. Основной особенностью эпитаксиального графеноподобного соединения на металле является отсутствие щели и, как следствие, вклада локальных состояний адатома в na. Оценки показали, что изменения констант связей адатом-подложка и графеноподобное соединение-металл влияют на величину na практически одинаковым образом. При этом зависимость na от ширины щели графеноподобного соединения с качественной точки зрения критичной не является. Кратко обсуждается адсорбция на структуре графеноподобное соединение-полупроводник. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44110.8336

О Диполь-Дипольном Взаимодействии Атомов В Слоях, Адсорбированных На Трехмерных И Двумерных Полупроводниках

“…Рассмотрим теперь адсорбцию на графеноподобных соединениях (ГПС) [9,11], являющихся двумерными (2D) аналогами классических трехмерных полупроводников, рассмотренных в предыдущем разделе. Для описания плотности состояний ГПС-подложки воспользуемся низкоэнергетическим (линейном по ω) приближением, в рамках которого ρ GLC (ω) = 2|ω|/ξ 2 при ξ 2 + 2 ≥ |ω| ≥ и ρ GLC (ω) = 0 при |ω| < и |ω| > ξ 2 + 2 , где 2 -ширина запрещенной зоны (щели), ξ = 2π √ 3t -нормировочный множитель, t -энергия перехода между p z -орбиталями ближайших соседями, начало отсчета энергии помещено в центр щели [9,11]. (При = 0 получаем плотность состояний свободного графена).…”

“…В случае адсорбции на полупроводнике дело обстоит не столь просто, так как в формировании заряда адатома участвуют не только зонные состояния n b (как это имеет место в случае металлической подложки), но и локальные состояния адсорбционной системы n l , лежащие в запрещенной зоне подложки [2,3]. Та же ситуация имеет место и при адсорбции на графеноподобных соединениях [9]. Именно такие подложки мы и рассмотрим в настоящей работе.…”

Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность

“…Определив функцию сдвига 0 a (ω) из выражения (4), можно приступать к расчетам чисел заполнения и ионной составляющей энергии адсорбции. Подобная задача рассматривалась в работе [28].…”

Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC

“…При этом электроны переходят с атомов кремния на атомы углерода. Результирующий диполь элементарной ячейки, определяющий вектор P sp , направлен от отрицательного иона к положительному иону, т. е. навстречу c-оси [2,11,12]. Напряженность наведенного P sp электрического поля на границе обра-зец/вакуум равна F sp = P sp /ε 0 , где ε 0 -диэлектрическая постоянная, будет положительной для Si-грани и отри-цательной для C-грани [2].…”