Компьютерное Исследование Применимости Силицена В Электрохимических Устройствах

Abstract

Методом молекулярной динамики исследованы новые анодные материалы, полученные из силицена на металлических подложках. По степени заполняемости анода и его механической прочности предпочтение отдается подложкам Ni(111) и Cu(111). Наибольшая степень кристалличности упаковки реализуется в силиценовом канале на подложке Ag(111). Самые низкие локальные нормальные напряжения появляются в стенках канала на подложке Al(111). Определен профиль электрического напряжения как функция концентрации Li, адсорбированного на двухслойный свободностоящий силицен.