Магнитные Состояния В Модели Поверхностного Димера

Abstract

For the electrons of surface dimer formed by adsorbed particle and substrate atom effects of the intra- and interatomic Coulomb interactions are taken into account. Two cases are considered: adsorption of magnetic particle on nonmagnetic substrate and adsorption of nonmagnetic particle on magnetic substrate. Analytical expressions for the surface dimer magnetization are obtained for the regimes of weak and strong dimer – substrate coupling

Schottky barrier height model as a function controlled composition x for SiC solid solutions

“…) 0,85 (AlN) 0,15 [6]: данные расчетов-прямые линии (1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10)(11)(12); экспериментальные данные -точки [3]…”

“…Как известно, в области контакта металл -полупроводник возникает барьер Шоттки, а в гетеропереходах появляется потенциальный барьер, со значениями высоты, показанными в источниках [1,2]. При этом однако, остается вопрос построения обобщенной модели токопереноса через гетеропереход (ГП) типа n-SiC/p-(SiC) 1-x (AlN) x или через диод с барьером Шоттки (БШ) Мe/ SiC1-x (AlN) x .…”

“…Такая ситуация в гетеропереходах на основе SiC возникает, если в области контакта имеется избыточный заряд и высокая локальная плотность электронных состояний. Это эффект имеет объяснение как за счет поверхностных состояний, так и за счет дефектов, например Al или N. Известно, что Al в газовой фазе в основном находится в связанном состоянии в виде комплексов Al-N и Al-C [2]. Это приводит к возникновению в области гетероперехода локального квазиуровня Ферми.…”