Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

Алешкин, В.Я.; Байдусь, Н.В.; Dubinov, A. A.; Кудрявцев, К.Е.; Nekorkin, S. M.; Новиков, А. В.; Rykov, A. V.; Samartsev, I. V.; Fefelov, A. G.; Юрасов, Д.В.; Красильник, Ф.

doi:10.21883/ftp.2017.11.45105.19

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 6 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…При малом расстоянии между ост-ровками (при периоде 1 мкм) все фотогенерируемые в смачивающем слое носители заряда за время жизни успевают продиффундировать в КТ (дырки) или область растянутого Si вблизи островков (электроны). Данные области в структурах с Ge(Si)/Si(001)-наноостровками являются потенциальными ямами для носителей заря-да [19]. Попавшие в КТ носители заряда рекомбинируют в них излучательно.…”

Section: экспериментальные результаты и обсуждениеunclassified

Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

Смагина¹,

Zinov’ev²,

Кривякин³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Разработан метод создания Ge/Si-структур с пространственно упорядоченными наноостровками при гетероэпитаксии на структурированных подложках Si(001) с квадратной решеткой ямок травления. Иссле-довано влияние глубины и периода расположения затравочных областей (ямок травления) на зарождение и рост Ge(Si)-наноостровков. Показано, что при изменении глубины ямок формируются как отдельные наноостровки внутри ямок, так и упорядоченные группы островков по их периметру. Обнаружено, что размеры наноостровков, формирующихся внутри ямок, увеличиваются с ростом расстояния между ямками от 1 до 4 мкм. Ярко выраженный сигнал фотолюминесценции от структур с пространственно упорядоченными квантовыми точками с периодом 1 мкм и больше наблюдается в диапазоне энергий 0.9−1.0 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46151.8841 ВведениеЗначительный интерес привлекают к себе полупровод-никовые гетероструктуры, выращенные на специально подготовленных (структурированных) подложках, содер-жащих центры в виде ямок или канавок для зарождения трехмерных самоформирующихся наноостровков (кван-товых точек) [1][2][3][4]. Рост на структурированных подлож-ках является одним из способов контроля мест зарожде-ния самоформирующихся нанообъектов и их упорядоче-ния в пространстве. Упорядочение квантовых точек (КТ) в свою очередь является ключевым фактором для их практического применения в микро-и наноэлектронных устройствах, которые включают в себя запоминающие устройства, лазеры и транзисторы [5,6]. Так, например, рост GeSi-структур на структурированных подложках позволил получить отдельные наноостровки, встроенные в фотонно-кристаллические микрорезонаторы [6-8], что привело к значительному увеличению интенсивности сигнала фотолюминесценции (ФЛ) и сужению линий ФЛ в спектрах отдельных КТ. Существуют различные способы создания структурированной поверхности по-лупроводниковых подложек [9][10][11][12]. Одним из самых популярных среди них является электронно-лучевая ли-тография с последующим плазмохимическим травлени-ем [1-3,7,13]. На основе этого метода можно получать поверхность с рельефом различной конфигурации. Рост структур на специально подготовленных подложках в основном осуществляется двумя методами: химическим осаждением из газовой фазы и молекулярно-лучевой эпитаксией. Как показывают экспериментальные данные, зарождение наноостровков может происходить как внут-ри затравочных мест (ямок или канавок), так и на их периферии [2][3][4]14]. На зарождение наноостровков суще-ственно влияют форма затравочных областей, период их расположения, введение дополнительных деформаций, а также условия роста: скорость осаждения материала и температура подложки.Установление закономерностей формирования про-странственно упорядоченных наноструктур при гетеро-эпитаксии на структурированных подложках позволит создать структуры с заданными параметрами, определя-ющими их электронные и оптические свойства. В дан-ной работе методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и микрофотолюминесценции исследовано влия-ние глубины затравочных о...

show abstract

Section: экспериментальные результаты и обсуждениеunclassified

Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

Смагина¹,

Zinov’ev²,

Кривякин³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…8 В настоящее время для реализации " оптоэлектроники на крем-нии" [1] наметился прогресс в создании гибридных лазерных струк-тур на точно ориентированных подложках Si(001). Так, были про-демонстрированы лазеры диапазона 1−1.1 µm на основе гетеро-структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (КЯ) InGaAs [2][3][4][5]. В то же время гибридные гетеролазеры A 3 B 5 для оптических межсоединений в кремниевой микроэлектронике должны излучать в области прозрачности объемного Si (λ > 1.2 µm).…”

Section: поступило в редакцию 7 марта 2018 гunclassified

Стимулированное излучение на длине волны 1.3 mum в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

Алёшкин¹,

Байдусь²,

Vikhrova³

et al. 2018

Письма В Журнал Технической Физики

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

Cited by 2 publications

References 6 publications

Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

Стимулированное излучение на длине волны 1.3 mum в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

Contact Info

Product

Resources

About