2015
DOI: 10.1109/jstqe.2015.2418218
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

10-Gb/s Direct Modulation of Widely Tunable 1550-nm MEMS VCSEL

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2

Citation Types

1
33
0
5

Year Published

2015
2015
2024
2024

Publication Types

Select...
7
1
1

Relationship

4
5

Authors

Journals

citations
Cited by 41 publications
(39 citation statements)
references
References 19 publications
1
33
0
5
Order By: Relevance
“…1(a). For an elaborated description of the structure and fabrication of the MEMS mirror, the readers are referred to [34,38]. A fully fabricated device comprises an anti-reflection coating (ARC), a Si substrate, a fixed bottom distributed Bragg reflector (DBR), a variable air-gap, a movable MEMS DBR and a SPP.…”
Section: Device Structure and Fabricationmentioning
confidence: 99%
“…1(a). For an elaborated description of the structure and fabrication of the MEMS mirror, the readers are referred to [34,38]. A fully fabricated device comprises an anti-reflection coating (ARC), a Si substrate, a fixed bottom distributed Bragg reflector (DBR), a variable air-gap, a movable MEMS DBR and a SPP.…”
Section: Device Structure and Fabricationmentioning
confidence: 99%
“…For an elaborated description of the structure and fabrication of the MEMS mirror, the readers are referred to. 8,9 The resonant wavelength can be tuned either by electro-thermal actuation of the MEMS or just by changing the substrate temperature. As the suspension beams of the MEMS are fixed to fixed DBR surface, it can expand only in upward direction.…”
Section: Device Structure and Fabricationmentioning
confidence: 99%
“…Такие гетероструктуры выращи-ваются на подложках GaAs. Вторая технология осно-вана на создании гибридных гетероструктур [20][21][22][23][24]. Основная отличительная особенность -сочетание по-лупроводниковой гетероструктуры, состоящей из РБО, и активной области с диэлектрическим РБО.…”
Section: Introductionunclassified
“…В случае из-готовления ДВ ВИЛ по второй технологии полупровод-никовая гетероструктура обычно выращивается на под-ложке InP [21]. Для совмещения преимуществ ДВ ВИЛ на основе GaAs и ДВ ВИЛ на основе InP была предло-жена технология спекания пластин с гетероструктурами в различных системах материалов: РБО AlGaAs/GaAs и активная область InGaAs/InP [20][21][22][25][26][27][28][29][30]. В этом случае предварительно на двух подложках из GaAs выра-щиваются РБО, затем на подложке из InP выращивается активная область с квантовыми ямами (КЯ).…”
Section: Introductionunclassified