24 GHz LNA in 90nm RF-CMOS with high-Q above-IC inductors

Dupuis, O.; Sun, Xiao Wei; Carchon, G.; Soussan, Philippe; Ferndahl, Mattias; Decoutere, Stefaan; Raedt, W. De

doi:10.1109/esscir.2005.1541565

Cited by 21 publications

(4 citation statements)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Table provides a comparison of this work with other k‐band LNAs fabricated in CMOS process. Compared with the result in ESSCIRC2005 , this chip has much higher gain under similar power consumption and noise figure. Compared with the result in ISSCC08 , this chip has lower NF but consumes much less power.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 84%

A 3.4 dB NF k-band LNA with a tapped capacitor matching network in 65 nm CMOS technology

Yan

Zeng

et al. 2014

Int J RF and Microwave Comp Aid Eng

View full text Add to dashboard Cite

This article proposes a tapped capacitor network for low-noise amplifier (LNA) input matching which can provide much broader bandwidth than traditional ones. According to the design, the implemented LNA can realize noise match and power match simultaneously, which will broaden LNA's bandwidth without introducing larger noise than traditional ones. In addition, input pad parasitic capacitance can be absorbed by the network. Then a k-band LNA with the matching network designed in 65 nm CMOS technology is shown to demonstrate the performance of the matching network. The tested results show that frequency band of S 11 less than 210 dB is about 17 GHz and minimum NF is about 3.4 dB. V C 2014 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 00:000-000, 2014.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 84%

A 3.4 dB NF k-band LNA with a tapped capacitor matching network in 65 nm CMOS technology

Yan

Zeng

et al. 2014

Int J RF and Microwave Comp Aid Eng

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Recently reported 24 GHz receiver building blocks [3][4][5][6] confirmed the feasibility of CMOS devices to work above 20 GHz. CMOS technologies are very attractive for integrated systems due to the benefits of scaling and the possibility of integrating the digital base-band part together with the RF front-end on a single chip.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 98%

A Monolithically Integrated 23-24 GHz Tuned Down-Converter in 0.13 μm CMOS

Dębski¹,

Weger²

2007

Frequenz

View full text Add to dashboard Cite

This article presents a monolithically integrated 23-24 GHz tuned down-converter realized in a standard 0.13 µm CMOS process. It down-converts an RF input signal from 23-24 GHz band to an IF of 5.5 GHz. The receiver consists of a two stage low noise amplifier (LNA), a double-balanced Gilbert mixer and a voltage controlled oscillator (VCO). It exhibits the conversion gain of 21.5 dB, the overall noise figure of 7 dB and input compression point of -16.7 dBm at RF input of 24 GHz. The minimum input and output return losses are 15.2 dB and 14.1 dB, respectively. The circuit consumes 58.5 mW form a 1.8 V supply.Index Terms -down-converter, K-band, microwave monolithic integrated circuit (MMIC), CMOS

show abstract

“…Therefore, an inductance L D is used to tune out the overall capacitance at the LNA output, at 30 GHz. To further adjust the output impedance at 50 Ω, a T network is also used [31,68,73]. The schematic diagram is shown in Figure 2.10.…”

Section: Schematic Designmentioning

confidence: 99%

“…This kind of topology also serves for ultra low noise design, since it consists of a single active device. An example of an LNA operating at 24 GHz can be found in [68]. The 90nm CMOS LNA is based on inductive degeneration and achieves 7.5 dB power gain, with 3.2 dB NF.…”

mentioning

confidence: 99%

Nanoscale RF CMOS transceiver design

Αντωνόπουλος¹

View full text Add to dashboard Cite

Η παρούσα διατριβή, παρέχει κατευθυντήριες γραμμές για σχεδίαση RF κυκλωμάτων, πολύ χαμηλής κατανάλωσης, εστιάζοντας στην σχεδίαση ενισχυτών χαμηλού θορύβου (LNA). Για τον σκοπό αυτό, έχει υλοποιηθεί, μετρηθεί, χαρακτηριστεί και μοντελοποιηθεί τεχνολογία 90 nm της TSMC, από συνθήκες μηδενικής συχνότητας (DC) μέχρι RF. Οι παρασιτικές χωρητικότητες που εμφανίζονται στις μετρήσεις RF και θορύβου, λόγω της ύπαρξης των δομών για την ηλεκτρική επαφή (pads) και των γραμμών μεταφοράς, έχουν αφαιρεθεί από τις δομές που μελετήθηκαν, μέσω συγκεκριμένων τεχνικών (de-embedding). Ο θερμικός θόρυβος των CMOS διατάξεων έχει μελετηθεί μέσω παραμέτρων θορύβου, οι οποίες μοντελοποιούνται και επαληθεύονται μέσω μετρήσεων για πρώτη φορά, για διάφορα μήκη καναλιού, ως προς έναν χαρακτηριστικό δείκτη αναστροφής στο κανάλι του MOS transistor, ονόματι δείκτης αναστροφής. Το βέλτιστο σημείο πόλωσης για την ελαχιστοποίηση του θορύβου, επιτυγχάνεται κοντά σε μέτρια επίπεδα αναστροφής και φαίνεται να μετατοπίζεται προς το μέσο της περιοχής μέτριας αναστροφής, με την μείωση του μήκους καναλιού. Η RF απόδοσή των ενεργών δομών της τεχνολογίας μελετάται μέσω χαρακτηριστικών δεικτών απόδοσης, οι οποίοι εξετάζονται ως προς το μήκος καναλιού και τον δείκτη αναστροφής, παρουσιάζοντας αντίστοιχη συμπεριφορά με τους δείκτες θορύβου.Τα αποτελέσματα επικυρώνονται με το συμπαγές μοντέλο EKV3.Εντέλει, παρουσιάζονται εφαρμογές όλων των παραπάνω χαρακτηριστικών απόδοσης, σε ολοκληρωμένα κυκλώματα ενισχυτών χαμηλού θορύβου. Η βέλτιστη απόδοση ενός cascode LNA στα 5 GHz επιτυγχάνεται κάνοντας χρήση του εξαχθέντος EKV3 μοντέλου, χρησιμοποιώντας τις κατευθυντήριες γραμμές που προτείνονται στα πλαίσια της διατριβής. Ο ενισχυτής πολώνεται στην περιοχή της μέτριας αναστροφής, επιτυγχάνοντας πολύ υψηλή απόδοση, λαμβάνοντας υπόψη όλους τους επιμέρους δείκτες απόδοσης, όπως κέρδος, θόρυβος, κατανάλωση,

show abstract

24 GHz LNA in 90nm RF-CMOS with high-Q above-IC inductors

Cited by 21 publications

References 12 publications

A 3.4 dB NF k-band LNA with a tapped capacitor matching network in 65 nm CMOS technology

A 3.4 dB NF k-band LNA with a tapped capacitor matching network in 65 nm CMOS technology

A Monolithically Integrated 23-24 GHz Tuned Down-Converter in 0.13 μm CMOS

Nanoscale RF CMOS transceiver design

Contact Info

Product

Resources

About