A Fully Integrated 0.18-$\mu{\hbox {m}}$ CMOS Transceiver Chip for $X$-Band Phased-Array Systems

Gharibdoust, Kiarash; Mousavi, N. S. Susan; Kalantari, Milad; Moezzi, Mohsen; Medi, Ali

doi:10.1109/tmtt.2012.2195020

Cited by 66 publications

(23 citation statements)

References 25 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Typically, the digital attenuator is a set of resistive attenuators of P-or T-type, separated by a signal switches that allows to pass the signal through a resistive attenuator, or bypassing it with minimal insertion loss [13]. In this case, the level of insertion loss is determined by the following formula:…”

Section: Microwave Model Of Mos Transistorsmentioning

confidence: 99%

“…In Ц ифровые ат тенюаторы на ход ят широкое применение во многих современных сис те-ма х с вязи, позвол я я рег улироват ь ос лабле-ние с определенным фиксированным шагом. Обычно цифровой ат тенюатор пре дставляет собой набор резистивных аттенюаторов П-или Т-типа, разделенных перек лючателями сиг-налов, которые позволяют пропускать сигнал через резистивный аттенюатор или в обход его с минимальным уровнем вносимых потерь [13]. В таком случае уровень вносимых потерь опре-деляется следующей формулой: L ат = 2NL пер + NL проход где N -разрядность аттенюатора, L пер -потери, внос имые одним перек лючате лем, L п р оход -по т е ри, вно с и м ые п р оход н ы м и к а на ла м и в ы к л ю ч е н н ы х а т т е н ю и р у ю щ и х я ч е е к .…”

Section: Microwave Model Of Mos Transistorsunclassified

“…this regard the attenuator scheme based on the proposed in [13], which is based on the inclusion of switches in the cells and blocking of the two sections, is used. Fig.8 shows the circuit diagram of the attenuator, and Fig.9 -topology of the chip for experimental studies of two designs of the attenuator with different management interface and SPDT switch optimized for a frequency range of 8-12 GHz.…”

Section: #5 / 67 / 2016mentioning

confidence: 99%

See 2 more Smart Citations

Library of silicon CMOS microwave devices and complex function blocks for transceiver modules

Andreev¹,

Atamas²,

Koptsev³

et al. 2016

NanoRus

View full text Add to dashboard Cite

Разработана библиотека СВЧ-элементов и сложно-функциональных блоков, позволяющая корректно моделировать электрические характеристики СВЧ-транзисторов на частотах до 12 ГГц. Показан набор сложно-функциональных блоков, полученных с использованием указанных моделей. A library of microwave components and complex function blocks for correct simulation of the electrical properties of microwave transistors at frequencies up to 12 GHz is developed. A set of complex function blocks obtained using these models is presented. С оз д а ние м ного фу нк ц иона льных одно-кристальных СБИС позволяет значительно улу чшать массогабаритные характери-стики конечного изделия, снижать стоимость, повышать надежность и стабильность процесса изготовления. Актуальной задачей является раз-работка монокристальных приемо-передающих устройств СВЧ-диапазона. Обычно для изготовле-ния отдельных блоков высокочастотного тракта используют МИС, полученные с применением соединений A 3 B 5 , наиболее часто -GaAs и GaN. Существенными недостатками данных техноло-гий является высокая стоимость изделий и срав-нительно низкий процент выхода годных. По этим причинам изготовление больших СБИС по данным технологиям не целесообразно, особенно для ком-мерческого применения.До недавнего времени кремниевые технологии, хорошо зарекомендовавшие себя в производстве циф-ровых и цифро-аналоговых СБИС [1], не позволяли добиться требуемых значений СВЧ-характеристик, в частности, коэффициента усиления и шума. С раз-витием кремниевых технологий и уменьшением проектных норм до 180 нм и ниже появилась возмож-ность изготавливать кремниевые СВЧ МИС с необхо-димыми СВЧ-характеристиками. Несмотря на то что кремниевые СВЧ МИС по-прежнему уступают по зна-чениям параметров компонентам, выполненным на A 3 B 5 , возможность интеграции цифровой и СВЧ-

show abstract

Section: Microwave Model Of Mos Transistorsmentioning

confidence: 99%

Section: Microwave Model Of Mos Transistorsunclassified

Section: #5 / 67 / 2016mentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Library of silicon CMOS microwave devices and complex function blocks for transceiver modules

Andreev¹,

Atamas²,

Koptsev³

et al. 2016

NanoRus

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Especially, digital attenuators are often applied for gain control of transceivers and temperature compensation amplifiers [5,6]. Prior researches about digital attenuators were mainly focused on low insertion loss, large dynamic range and low insertion phase variation [7][8][9][10][11].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

A novel automatic attenuator with ultra-fast response time

Liu

Zhang

Peng

et al. 2018

IEICE Electron. Express

View full text Add to dashboard Cite

This paper presents a novel automatic attenuator with ultra-fast transient response time. The proposed automatic attenuator combines control generation and a digital attenuator together. The control generation chain consists of a RF envelope detector, voltage comparators and a logic circuit. The state of the digital attenuator is determined by the output control signals of the control generation chain. The chip is fabricated using HuaHong 0.18um standard CMOS technology. Measured results are offered showing that the transient response time of the whole system is less than 10 ns in the ultra-wide operation frequency range of 1GHz~10GHz.

show abstract

“…Attenuators due to their zero DC power consumption and superior linearity are preferable to VGAs particularly in wideband applications [1,2,3,4,5]. Conventional T-/Pi-type, bridge T-/Pi-type and distributed are the basic topologies for most attenuators and can provide step attenuation by digitally controlling the gate voltages [4,5,6,7,8,9,10]. However, those conventional step attenuators have high insertion loss and large circuit size.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

A CMOS digital step X-type attenuator with low process variations

Wan

Chen

Wang

2017

IEICE Electron. Express

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, a digital step X-type attenuator with low process variations is demonstrated using 90 nm CMOS technology. The X-type attenuator uses MOSFETs as voltage controlled resistors, which influenced by process parameters. And a compensation circuit associated with the threshold voltage is employed to mitigate the process influence. The attenuator have a maximum attenuation range of 32 dB with 0.5 dB steps. The rms amplitude error and rms phase error are 0.42 dB and 3.1°over 23.5-30 GHz respectively, and the insertion losse is 9.77 dB at 25 GHz. The core chip size is 0.48 mm 2 .

show abstract

A Fully Integrated 0.18-$\mu{\hbox {m}}$ CMOS Transceiver Chip for $X$-Band Phased-Array Systems

Cited by 66 publications

References 25 publications

Library of silicon CMOS microwave devices and complex function blocks for transceiver modules

Library of silicon CMOS microwave devices and complex function blocks for transceiver modules

A novel automatic attenuator with ultra-fast response time

A CMOS digital step X-type attenuator with low process variations

Contact Info

Product

Resources

About