A high performance CNFET-based operational transconductance amplifier and its applications

Cen, Mingcan; Song, Shuxiang; Cai, Chaobo

doi:10.1007/s10470-017-0951-1

Cited by 16 publications

(3 citation statements)

References 22 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Kanal bölgesinde gerekli olan yarı iletken SWCNT'lerin sayısı, mevcut sürücü gereksinimine göre farklılık göstermektedir. Kaynak ve akaç bölgeleri arasındaki taşıyıcı taşıma işlemi, CNT'ler aracılığıyla gerçekleşir ve balistik taşıma özelliğini kullanır [21].…”

Section: Cntfet Yapısı (Cntfet Structure)unclassified

CNTFET VDGA tabanlı ultra düşük güç düşük voltaj yüksek frekanslı filtre uygulamaları

Sunca,

Alçı

2024

Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

MOSFET boyutlarının ölçeklendirilmesinde sınır değere yaklaşılmasıyla birlikte birçok problem ortaya çıkmıştır. MOSFET’in boyutlarının küçültülmesiyle ortaya çıkan kısa kanal etkileri ve azaltılmış geçit kontrolü gibi birçok problemler için alternatif çözüm yolları araştırılmıştır. Karbon Nanotüp Alan Etkili Transistör (CNTFET- Carbon Nanotubes Field Effect Transistors) üstün elektriksel ve mekaniksel özellikleri ile MOSFET’ in yerini alacak en uygun alternatif olarak düşünülmektedir. Bu çalışmada, 32 nm CNTFET kullanılarak Voltaj Farkı Alan Kazanç Kuvvetlendirici (VDGA-Voltage Differencing Gain Amplifier) yapısının benzetim çalışmaları yapılmıştır. Buna ek olarak CNTFET VDGA yapısı ile üç girişli tek çıkışlı filtre yapısı sunulmuştur. ±0.3V düşük besleme voltajında ve 1µA düşük kutuplama akımında gerçekleştirilen filtre yapısı, CMOS VDGA ile gerçekleştirilen filtre yapısına kıyasla 22,909 MHz gibi daha yüksek merkez frekansına sahiptir. Ayrıca CNTFET VDGA yapısıyla gerçekleştirilen filtre 8,3412 µW düşük güç tüketimine sahiptir.

show abstract

Section: Cntfet Yapısı (Cntfet Structure)unclassified

CNTFET VDGA tabanlı ultra düşük güç düşük voltaj yüksek frekanslı filtre uygulamaları

Sunca,

Alçı

2024

Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Carbon nanotube field‐effect transistors (CNTFETs) have laid the groundwork in nanoscale digital circuits and systems 24‐26 . However, few works have focused on the analog and RF application of these transistors 27‐29 . Depending on the gate geometrics and design requirements, CNTFET transistors can be fabricated with top‐gate (TG) and gate‐all‐around (GAA) structures.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…[24][25][26] However, few works have focused on the analog and RF application of these transistors. [27][28][29] Depending on the gate geometrics and design requirements, CNTFET transistors can be fabricated with top-gate (TG) and gate-all-around (GAA) structures. Similar to the conventional CMOS transistors, TG-CNTFETs are suitable for off-chip operations.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

A low‐power delay stage ring VCO based on wrap‐gate CNTFET technology for X‐band satellite communication applications

Jooq

Bozorgmehr

Mirzakuchaki

2020

Circuit Theory & Apps

View full text Add to dashboard Cite

SummaryOver the past few years, with lower power consumption, reasonable layout area, and the ease of integration with standard circuit design technologies compared to the other counterparts, delay stage ring voltage‐controlled oscillators (VCOs) have been in the limelight of microelectronics scientists. However, few efforts have focused on representing high‐performance delay stage ring VCOs in the deep nanometric regime. In this regard, by virtue of outstanding electrical properties of carbon nanotube wrap‐gate transistors, this work aims to propose a carbon nanotube field‐effect transistor (CNTFET)–based delay stage ring VCO. After performing rigorous simulations, the proposed ring VCO which has been designed by 10‐nm gate‐all‐around (GAA) CNTFET technology shows suitable electrical performance metrics. The simulation results demonstrate that the proposed GAA‐CNTFET‐based ring VCO consumes 85.176 μW at with a 6.12‐ to 10.42‐GHz frequency tuning range. At the worst‐case noise conditions, the proposed design presents ‐90.747 dBc/Hz phase noise at 1 MHz offset frequency. With occupying 1.414 μm2 physical area, the proposed VCO is appropriate for the ultracompact nanoscale radio frequency apparatus. Our simulation results accentuate that with further improvements and commercializing the fabrication techniques for CNTFET transistors, the proposed GAA‐CNTFET‐based VCO can be considered as a potential candidate for X‐band satellite communication applications.

show abstract

CNTFET-Based Universal Filter Using DO-CCII

Yasir

Alam

2023

Lecture Notes in Electrical Engineering

View full text Add to dashboard Cite

A high performance CNFET-based operational transconductance amplifier and its applications

Cited by 16 publications

References 22 publications

CNTFET VDGA tabanlı ultra düşük güç düşük voltaj yüksek frekanslı filtre uygulamaları

CNTFET VDGA tabanlı ultra düşük güç düşük voltaj yüksek frekanslı filtre uygulamaları

A low‐power delay stage ring VCO based on wrap‐gate CNTFET technology for X‐band satellite communication applications

CNTFET-Based Universal Filter Using DO-CCII

Contact Info

Product

Resources

About