A high-speed low-power 0.3 μm CMOS gate array with variable threshold voltage (VT) scheme

RAM cell that is resistant to external factors

“…Integration of memory circuits in GA was investigated from 1980ies in the studies of the authors of [1][2][3]. At that time the technological level didn't allow to create GA with suffi cient memory size.…”

“…Radiation resistant R AM is made in the form of custom inte grated circuits (IC), hard IP cores in systems on chip (SOC) or on the basis of programmable logic devices (PLD). In uptodate SOCs the mem ory size can exceed 50% of the area of the chip [1][2][3]. At the same time, it is optimum to create specialized ICs in case of small production vol umes on the base of gate arrays (GA).…”

“…Радиационно стойкие ОЗУ выполняются в виде заказных инте гральных схем (ИС), сложнофункциональных (СФ) блоков в составе систем на кристалле (СнК) или на базе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС). В современных СнК объем памяти может превышать 50% площади кристалла ИС [1][2][3]. В то же время специализированные микросхемы при малых тиражах выпуска оптимально реализо вывать на основе базовых матричных или базовых кристаллов (БМК или БК).…”

“…Максимальная емкость ОЗУ составляет 256 × 16 или 128 × 32 бит. Данная серия БМК устойчива к механи ческим и климатическим воздействиям, стойкость же к специальным факторам не указана.Интеграция схем памяти в БМК рассматрива лась c 1980х годов в работах авторов [1][2][3]. Тогда тех нологический уровень не позволял создать БМК с достаточным объемом памяти.…”

“…Интеграция схем памяти в БМК рассматрива лась c 1980х годов в работах авторов [1][2][3]. Тогда тех нологический уровень не позволял создать БМК с достаточным объемом памяти.…”