A method for fabricating the ordered arrays of silicon nanopillars

Спектральные Характеристики Отражения Микромассивов Кремниевых Нанопилларов-=sup=-*-=/Sup=-

“…Для формирования маски в резисте в виде ансамблей пилларов различного диаметра варьировалась электронная доза экспонирова-ния на точку. Подробно процесс формирования Si НП описан в наших работах [13][14][15][16]. Следует отметить, что минимальные размеры маски (представляющей собой пиллары в резисте) ограничены влиянием эффектов близости при экспонировании и адгезией пленки к подложке.…”

“…Диэлектрические свойства такой среды меня-ются периодически в двух измерениях с характерным пространственным масштабом периодичности порядка оптической длины волны. Кроме этого, ранее мы одни из первых отработали методику формирования упо-рядоченных массивов Si НП посредством электронно-лучевой литографии на негативном резисте с последую-щим реактивным ионным травлением [13][14][15][16]. Травление кремниевых наноструктур через маску из алюминия [5] или хрома [8] приводит к дополнительному легированию кремния.…”