A New Effective Methodology for Semiconductor Power Devices HTRB Testing

Pace, Calogero; Hernandez-Ambato, Jorge; Fragomeni, Letizia; Consentino, G.; DrIgnoti, Alessandro; Galiano, Salvatore; Grimaldi, Antonio

doi:10.1109/tie.2017.2669882

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“…La degradación de un dispositivo semiconductor puede ser observada mediante mediciones de sus parámetros eléctricos característicos, tales como: Voltajes de Ruptura en estado de bloqueo (BVDSS), Corrientes de Fuga (IDSS), Voltajes de Umbral de Activación (Vth), entre otros [11]- [15]. Además, en la última década se ha intensificado la medición del Ruido de Baja Frecuencia (LFN, por sus siglas en inglés) en dispositivos bajo pruebas (DUT) de estrés como una forma alternativa de estudiar la degradación de dispositivos semiconductores durante las pruebas de estrés [2], [16]- [19].…”

Section: Ta Perspectivasunclassified

“…A través de este tipo de estudios es posible establecer los mecanismos de falla y degradación que provocan el daño de los dispositivos bajo determinadas condiciones de trabajo. Para la industria y la academia ha resultado importante investigar los problemas asociados a la degradación de los dispositivos semiconductores, principalmente en las últimas décadas, debido a la complejidad y miniaturización de los circuitos actuales, para determinar sus condiciones críticas de operación [1] [2].…”

Section: Introductionunclassified

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Aplicación de Mediciones de Ruido de Baja Frecuencia para el Análisis de Efectos de Estrés Térmico y Eléctrico en Dispositivos de Potencia

Berrones¹,

Macías²,

Buenaño³

et al. 2020

Perspectivas

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Este documento presenta el estudio del efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Se aplico una prueba de Polarización Inversa a Alta Temperatura (HTRB por sus siglas en inglés) a los dispositivos de potencia, determinando sus características eléctricas. Las herramientas utilizadas para este estudio fueron una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación de estrés térmico junto con el analizador de parámetros Keithley 4200-SCSn para la caracterización corriente-voltaje y un sistema de medición de ruido de baja frecuencia para caracterización de canales conductivos en dispositivos electrónicos. Los resultados indican un mayor nivel de ruido flicker después de la aplicación del estrés sobre los MOSFETs estudiados, que se relacionan con cambios en el voltaje de umbral producto del estrés aplicado, correlacionando directamente dichos parámetros.

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Section: Ta Perspectivasunclassified

Section: Introductionunclassified

Aplicación de Mediciones de Ruido de Baja Frecuencia para el Análisis de Efectos de Estrés Térmico y Eléctrico en Dispositivos de Potencia

Berrones¹,

Macías²,

Buenaño³

et al. 2020

Perspectivas

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“…DNVGL RP-A-203 [12] and API 17Q [13] are the best practices widely used across the Subsea Oil and Gas industry for the development and qualification of new technologies. The focus on the design of a new product is around the reliability of the product [14]- [21], which is intended to be used on the sea bed for at least 25 years without any single fault or failure.…”

Section: Introductionmentioning

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Comprehensive Technology Qualification Process for Subsea Electronics Assemblies

Arif¹,

Rehman-Shaikh²,

Evangelou

2021

IEEE Trans. Ind. Electron.

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Subsea production systems technologies are being developed steadily to address the technological issues associated with the deep-sea environment, primarily pressure and temperature. To ensure the reliable operation of electrical/electronic systems for at least 25-years on the seabed, a comprehensive technology qualification program is proposed in this paper. In relation to this, Technology Readiness Level of the Subsea electrical/electronics assembly is achieved after conducting devised environmental stress tests compliant to the internationally recognized standards, e.g. API, ISO, IEC and IEEE. The comprehensive tests methods of the qualification program are explained to achieve the technology readiness level 3 of the Subsea printed circuit board and sub-assemblies. Finally, experimental test results of a standalone Subsea Ethernet Switch and also functional verification with 100 meters of electrical flying lead undergoing the prescribed test methods show that the Subsea electronics comply with the international standards and is fit for use in the Subsea environment.

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Reliability Performance Study of Molding Compounds on High Voltage Molded Leaded Package

Garete,

Li,

Fung

et al. 2023

2023 18th International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT)

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A New Effective Methodology for Semiconductor Power Devices HTRB Testing

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Aplicación de Mediciones de Ruido de Baja Frecuencia para el Análisis de Efectos de Estrés Térmico y Eléctrico en Dispositivos de Potencia

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Comprehensive Technology Qualification Process for Subsea Electronics Assemblies

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