2010
DOI: 10.1016/j.surfcoat.2010.03.014
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A new high-temperature plasma immersion ion implantation system with electron heating

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“…2a. In this case, the main electron source of the discharge is provided by a low workfunction thermionic emitter 32 . The heating of the substrate can be precisely controlled by varying both, the intensity of the AC voltage applied to heat the thermionic emitter and the level of a slightly positive DC voltage (+V) applied to the substrate.…”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…2a. In this case, the main electron source of the discharge is provided by a low workfunction thermionic emitter 32 . The heating of the substrate can be precisely controlled by varying both, the intensity of the AC voltage applied to heat the thermionic emitter and the level of a slightly positive DC voltage (+V) applied to the substrate.…”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…Additional Ti-6Al-4V sample discs of 15-mm diameter and 3-mm thickness were also grounded, polished and cleaned in ultrasound acetone bath. The experimental set-up for the nitrogen HTPIII, where the heating of the substrate is performed with the help of electron bombardment, has been previously described (35) .…”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…1 está representado o arranjo experimental do sistema 3IP de alta temperatura utilizado neste trabalho. Mais informações e detalhes sobre este sistema podem ser encontrados em outro trabalho (11) . O sistema consiste, basicamente, de: uma câmara de aço inoxidável com entrada para injeção do gás de trabalho; o sistema de vácuo composto por uma bomba mecânica e uma bomba difusora; um porta-amostras, que é polarizado negativamente e atua como ânodo da descarga; além de uma fita de tântalo que faz o papel do catodo.…”
Section: Materiais E Métodosunclassified
“…Além disso, o catodo favorece a ruptura da descarga devido ao rápido aumento do grau de ionização do gás. É válido destacar que grande parte do ciclo de trabalho, cerca de 98%, é aproveitado para aquecer o substrato, enquanto que no restante ocorre de fato a implantação (11) .…”
Section: Materiais E Métodosunclassified
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