A new method for the determination of the thickness, the optical constants and the relaxation time of weakly absorbing semiconducting thin films

Study of Mis Multicrysraline Silicon Thin-Film Solar Cell

“…The Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) structure is currently receiving attention in solar cell research [1][2][3][4][5][6][7][8]. It has several advantages over p-n junctions; first, MIS structure considerably simpler to fabricate, thus is reducing the overall cell cost drastically.…”

Simulation of applied principles of envelope functions for Fabry-Perot spectroscopy of plane wave for single-layer structures

“…At the arbitrary frequency, we have the following expression: . (11) It is the approach (11) that enables to ground the validity of interferogram apparatus characteristic determination [16,17] , where δ ∆ is the width contour extreme in phase units (phase distance between frequencies 2 , 1…”

“…Recently, the so-called method of envelope functions as tangential to contours of amplitude spectra of light reflection and transmission by a single-layer Fabry-Perot structures [10][11][12][13][14][15][16][17][18][19] was developed. So, for example, on the basis of the method the approach for determining the variation parameters in thickness and influence of spectral distribution of light and light absorption [9][10][11][12][13][14][15] was grounded. The envelope function method was used for grounding the new approach for determination of the instrumental characteristics of interference bands [16,17] and for reconstruction of the phase of a reflected wave by single-layer films [16,17,19].…”

KİMYASAL BANYO DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÜRETİLEN Co3O4 FİLMİNİN OPTİK SABİTLERİ

“…Son zamanlarda, zarf eğrisi yönteminin doğruluğu ve kolaylığını geliştirmek için bazı yaklaşımlar sunulmuştur [14][15][16][17]. Bu çalışmalar, filmlerin optik sabitlerini ve kalınlığını belirlemek için zarf eğrisi yönteminin yansıma ve geçirgenlik spektrumlarına [15,16] veya yalnızca yansıma spektrumlarına [14,17] uygulanması üzerine odaklanmış kıymetli bilgiler sağlamaktadır. Bu çalışmalar arasında, zarf eğrisi yaklaşımının yansıma spektrumlarına genişletilmesine dayanan yeni bir yöntem Kushev ve ark.…”

“…Bu çalışmalar arasında, zarf eğrisi yaklaşımının yansıma spektrumlarına genişletilmesine dayanan yeni bir yöntem Kushev ve ark. [14] tarafından saptanmıştır. Bir yansıma maksimumu bir geçirgenlik minimumuna (veya tam tersi de olabilir) karşılık geldiğinden, kompleks dielektrik sabiti ve kompleks kırılma indisi aynı zamanda yansıma ekstremumundan da belirlenebilir.…”