In the present study the linear defects in several synthetic quartz have been surveyed by X-ray topography using Lang method. The grown-in dislocations produced by layers displacement around holes, precipitates or inclusions are discussed. Each growth zone is described with their own defects pattern and some correlations with the external morphology of the crystal are stated. There are also pointed out the asymmetry of the defects for every growth zone and the specific role in the growth mechanism of the s-growth zone. In the final part of the work there are outlined the general and the specific conclusions.Dans l'ktude prksente sont analiskes les defaults lineaires dans quelques quartz de synthese par topographie avec rayons X, la mkthode Lang. Ainsi, sont discutkes les dislocations produit par le deplacement des plans cristallins autour de nus, de precipitations ou d'inclusions. Chaque secteur de croissance est dkcrit ayant sa propre structure de defaults qui ont ses implications dans la morphologie extkrieur de cristal-I1 est met en kvidence l'asymetrie de defauts pour chaque secteur de croissance et en meme temp le r61e particulier de secteur de croissance s dans la mkcanisme de croissance. A la fin de l'etude sont prksentkes les conclusions genkrales et spkcifiques.