A study of factors affecting the InSb c.w. spin-flip Raman laser

Colles, M. J.; Dennis, R.B.; Smith, J.W.; Webb, John S.

doi:10.1016/0030-4018(74)90041-8

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“…-Un facteur particulièrement important pour les applications en spectroscopie est le réglage fin de la longueur d'onde. La figure 13 montre le comportement de la raie Stokes à 5,3 g (CW) pour un déroulement fin en champ magnétique [27]. Dans la région de saturation, le signal est relativement stable, mais près du seuil, on obtient des oscillations qui traduisent un couplage entre la raie spin-flip et les modes de cavité.…”

Section: Figunclassified

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Diffusion raman spin-flip dans les semiconducteurs

Amzallag

1975

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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L'étude de la diffusion Raman sur les porteurs libres d'un semiconducteur en présence d'un champ magnétique suivant le processus d'inversion du spin (spin-flip) présente un intérêt multiple : meilleure connaissance du mécanisme de diffusion lui-même, détermination du facteur g des porteurs libres en rapport avec la structure de bandes du matériau étudié, enfin et surtout génération d'une émission stimulée pouvant conduire à la réalisation de sources lumineuses cohérentes et intenses, de longueur d'onde continûment accordable au moyen du champ magnétique appliqué. Cet exposé passe en revue les principaux résultats obtenus ces dernières années, en même temps qu'il présente quelques-uns de nos propres résultats dans CdS pompé avec un laser à argon (5 145Å), et dans InSb pompé avec un laser à CO2 (10,6 03BCm). Abstract. 2014 The study of Raman scattering by mobile electrons in a magnetic field through the spin-flip process is of multiple interest : a better knowledge of the scattering mechanism itself, the determination of the g-factor for the free electrons which is related to the band structure of the material, and above all the generation of a stimulated radiation which leads to the achievement of coherent and intense sources, whose wavelength can be continuously tuned through the applied magnetic field. This talk reviews the main results obtained during the previous years, while it presents some of our own results in CdS pumped by an Argon laser (5 145 A) and in InSb pumped by a CO2 laser

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Section: Figunclassified

“…13. -Comportement de la raie Stokes en fonction du champ magnétique : a) en région de saturation, b) près du seuil (Colles et al [27]). Brueck [28] a montré l'intérêt qu'on peut avoir à utiliser un laser spin-flip à faible concentration de porteurs et à faible champ magnétique.…”

Section: Figunclassified

Diffusion raman spin-flip dans les semiconducteurs

Amzallag

1975

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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“…Several of these have dealt with its use as a coherent tunable spectroscopic source. In the 5 pm region spectra have been obtained using both the pulsed (Mellish et al 1971, Wood et al 1972 and the cw (Guerra et al 1973, Patel 1972, Colles et al 1974, Patel 1974, Butcher et (11 1975 modes of operation and the fine tuning behaviour have also been investigated (Butcher et a1 1976, Brueck and Mooradian 1974, Firth et a1 1975, Mackenzie ct al 1975. The only spectra at 10.6 pm which have so far been published come from the original investigations .…”

Section: Introductionmentioning

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The behaviour of a 10.6 mu m pulsed spin-flip Raman laser as a spectroscopic source

Walker¹,

Chantry²,

Moss³

et al. 1976

J. Phys. D: Appl. Phys.

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Spectra of ammonia (NH3) gas at about 870 cm-' have been obtained using a pulsed InSb spin-flip Raman laser. Changes in thc temperature of the lnSb crystal were found to produce large changes in the absolute and relative intensities of the absorption lines. The observed line intensities were also found to be dependent on the pump power applied to the InSb crystal. These effccts are attributed to modepulling and mode-hopping in the InSb crystal and to the presence of more than one axial mode. There is also some evidence for the presence of higher-order transverse modes.

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Spectroscopy with spin-flip Raman laser: Mode properties and external cavity operation

Smith¹,

Dennis²

Laser Spectroscopy

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A study of factors affecting the InSb c.w. spin-flip Raman laser

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Diffusion raman spin-flip dans les semiconducteurs

Diffusion raman spin-flip dans les semiconducteurs

The behaviour of a 10.6 mu m pulsed spin-flip Raman laser as a spectroscopic source

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