The concentration of V centers, produced by a hole trapped a t a magnesium vacancy, has been found to increase linearly with deformation in single crystals of magnesium oxide, When one slip system is operative in the deformation process an anisotropic defect is produced whose axis is (loo> perpendicular to both the {IIO} slip plane and ( l l O > slip direction.This defect produces optical absorption bands a t 4.07 and 5.17 eV when the deformed crystal is X-irradiated. These bands are attributed t o vacancy complexes which have trapped one or more electrons. Bleaching experiments are reported in which these bands are annihilated by electron release or the capture of holes released from the V band.Die Konzentration von V-Zentren, die durch den Einfang von Defektelektronen an Magnesium-Leerstellen erzeugt werden, wiichst in Magnesiumoxyd-Einkristallen linear mit der Deformation an. 1st ein Gleitsystem im DeformationsprozeB wirksam, so wird ein ansiotroper Defekt in Richtung der (110) Achse erzeugt, senkrecht sowohl zu der (110) Gleitebene als auch zu der (110) Gleitrichtung. Wird der so deformierte Kristall mit Rontgenstrahlen bestrahlt, dann erzeugt dieser Defekt optische Absorptionsbanden bei 4,07 und 5,17 eV. Diese Banden sind auf Leerstellenkomplexe zuruckzufiihren, die ein oder mehrere Elektronen eingefangen haben. Experimente werden beschrieben, durch die diese Banden zum Verschwinden gebracht werden, entweder durch Elektronenfreigabe oder durch den Einfang von Defektelektronen, die von der V-Bande abgegeben werden.