2017
DOI: 10.17212/1727-2769-2017-3-52-63
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

A technique for switching power loss calculation in MOSFET semiconductor power converters with PWM control

Abstract: На сегодняшний день широкое распространение получают различные электротехниче-ские комплексы и системы с использованием устройств силовой электроники. К таким системам можно отнести системы автономного энергоснабжения на базе возобновляемых источников энергии, системы накопления электрической энергии, активные силовые филь-тры и компенсаторы реактивной мощности. Ключевым элементом в составе данных ком-плексов и систем является силовой полупроводниковый преобразователь. Как правило, перечисленные системы преобр… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2018
2018
2018
2018

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 1 publication
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Для обеспечения корректной работы АИН необходимо производить выбор силовых транзсторов с учетом статических и динамических потерь [16], [17], которые зависят от способа управления. Основополагающими параметрами выбора силового транзистора, работающего в ключевом режиме, являются максимальный ток, протекающий через транзистор в открытом состоянии, и напряжение, прикладываемое к нему в закрытом состоянии.…”
Section: рис 5 зависимости коэффициентов заполнения импульсов от поunclassified
“…Для обеспечения корректной работы АИН необходимо производить выбор силовых транзсторов с учетом статических и динамических потерь [16], [17], которые зависят от способа управления. Основополагающими параметрами выбора силового транзистора, работающего в ключевом режиме, являются максимальный ток, протекающий через транзистор в открытом состоянии, и напряжение, прикладываемое к нему в закрытом состоянии.…”
Section: рис 5 зависимости коэффициентов заполнения импульсов от поunclassified