2011
DOI: 10.1016/j.physb.2010.10.024
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Ab initio calculation of ZnSiAs2 and CdSiAs2 semiconductor compounds

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4
1

Citation Types

0
4
0
2

Year Published

2014
2014
2021
2021

Publication Types

Select...
6
2
1

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 22 publications
(6 citation statements)
references
References 22 publications
0
4
0
2
Order By: Relevance
“…A II B IV C V 2 semiconductors are intensively used and studied for wide range of applications from photovoltaic [1][2] to non-linear optic [3][4][5][6][7][8][9] and spintonics [10][11][12][13][14][15][16]. One of the less investigated representative of this group is ZnSnAs 2 .…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…A II B IV C V 2 semiconductors are intensively used and studied for wide range of applications from photovoltaic [1][2] to non-linear optic [3][4][5][6][7][8][9] and spintonics [10][11][12][13][14][15][16]. One of the less investigated representative of this group is ZnSnAs 2 .…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Тройные полупроводники CdSiAs 2 , CdGeAs 2 , ZnSiAs 2 и ZnGeAs 2 представляют собой соединения типа A II B IV C V 2 семейства пниктидов, которые кристаллизуются в тетрагональной пространственной группе с четырьмя формульными единицами в каждой элементарной ячейке, и имеют структуру халькопирита [2], которая тесно связана со структурой цинковой обманки. Полупроводники данного типа привлекают значительное внимание из-за возможности применения как монокристаллических, так и поликристаллических тонких пленок и светодиодов в солнечных элементах, фотоэлектрических приборах, светоизлучающих устройствах видимого и инфракрасного диапазона [3][4][5].…”
Section: алтайский государственный университет барнаулunclassified
“…Компьютерное моделирование устой-Компьютерное моделирование устойчивости... чивости квантовых наноэлектромеханических систем (НЭМС) слоевых многокомпонентных полупроводниковых соединений под воздействием мощного аттосекундного импульса является актуальной задачей [7][8][9]. Полупроводники данного типа привлекают значительное внимание из-за возможности применения как монокристаллических, так и поликристаллических тонких пленок и светодиодов в солнечных элементах, фотоэлектрических приборах, светоизлучающих устройствах видимого и инфракрасного диапазона [10][11][12]. Результаты исследования атто-фемтосекундного процессинга представлены в таблице 2.…”
Section: Introductionunclassified