2018
DOI: 10.1360/n972018-00434
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Abnormal magnetic field effects in doped organic light-emitting devices

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“…其中MEL的低磁场快速上升主要归因 于磁场抑制的极化子对间ISC [16,17] . MC的低磁场 磁场范围快速增大 [32,33] . 而MEL和MC的高磁场 缓慢上升来源于TQA散射过程 [18] , 其详细的解 MEL (25 mT) 和MC LFE = MC (300 mT) − MC (25 mT) [33] .…”
Section: 在有机发光器件中unclassified
“…其中MEL的低磁场快速上升主要归因 于磁场抑制的极化子对间ISC [16,17] . MC的低磁场 磁场范围快速增大 [32,33] . 而MEL和MC的高磁场 缓慢上升来源于TQA散射过程 [18] , 其详细的解 MEL (25 mT) 和MC LFE = MC (300 mT) − MC (25 mT) [33] .…”
Section: 在有机发光器件中unclassified
“…Peng等人 [14] [18] . [19,20] , RISC [7,21] , TTA [2,22] 和TQA [9,23] )对应的MEL特征线型 [26] )与客体DCJTB的三重态能量 http://engine.scichina.com/doi/10.1360/N972018-01101 CBP的三线态能级为2.66 eV [27] , 远大于DCJTB的三 线态激子能量(1.974 eV), 确保了客体DCJTB中 3 CT 激子的寿命较长, 为RISC过程的发生提供了有利的 条件. 通常来说, 为了实现RISC, 激子的寿命必须要 大于电子自旋发生翻转的时间(10 −9 s) [28] .…”
Section: 使其成为目前主流的Risc体系unclassified
“…对于非 紧束缚的电荷转移态材料DCJTB来说, 它们的载流 子之间的库伦吸引力较弱, 内电场对三重态激子的 拆分作用不能忽视 [13] . 器件内电场会随着电流增大 [23] . 因此我们认为, 当温度降低时, 器件 B和C高场的变化(如图4…”
Section: 使其成为目前主流的Risc体系unclassified
“…有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode, OLED)具有易制作、化学可调、透明、易弯曲等特 点 [1][2][3][4][5][6][7][8] . OLED中存在很多与激子相关的演化过程, 如 系间窜越(Intersystem Crossing, ISC) [9] 、单重态激子 分裂(Singlet Fission, STT) [10] 、三重态激子湮灭(Triplet Fusion, TTA) [11] 等.…”
Section: 引言unclassified