Начиная с середины 2000-х, в современной проекционной EUV (Extreme UltraViolet) литографии ("нанолитография") используются оптические системы из Si/Mo многослойных зеркал (МСЗ) и экспонирующее излучение с длиной волны, соответственно, λ = 13.5 нм. Первоначально в качестве источника такого излучения предполагалась Xe лазерная плазма, но из-за ее недостаточно высокой эмиссионной способности пришлось использовать лазерную плазму из олова. Такой источник имеет ряд серьезных недостатков, поэтому в 2013 г. в ИФМ РАН была предложена версия нанолитографии с λ = 11.2-11.4 нм и Be-содержащими МСЗ [1]. В этой версии предполагалось применение простого и "чистого" источника с Xe лазерной плазмой, т. к. ожидалось, что мощность ее излучения на этой длине волны существенно выше, чем на λ = 13.5 нм. В 2016 г. в ИФМ была запущена камера напыления Be, и с этого времени в ФТИ при поддержке ИФМ начались исследования физических явлений в лазерной плазме, возбуждаемой ИК лазерным лучом на Xe газоструйной мишени, и ее эффективности в качестве источника.Неизбежной особенностью такой плазмы является тепловой характер ее излучения -широкий спектр, отсутствие направленности и, как следствие, низкий коэффициент его полезного использования. Другая особенность, характерная для плазмы из многоэлектронных атомов, -радиационный тип потерь энергии, так что время жизни тепловой энергии частиц в плазме на 2-3 порядка короче длительности лазерного импульса. В частности, это означает, что поперечный размер плазмы просто равен диаметру лазерного луча.Первым исследованием, выполненным в ФТИ в 2017-18 г.г., была разработка и применение метода многозеркальной брэгговской спектрометрии для получения EUV спектра, калиброванного в энергетических единицах. Измерения, выполненные в 2-зеркальном варианте метода (Be/Mo + Si/Mo), показали, что в исследованном диапазоне (λ = 11-14 нм) спектр имеет квазиконтинуальный характер без дискретных спектральных линий, и интенсивность излучения на λ = 11.2-11.4 нм в 5-10 раз превышает интенсивность на λ = 13.5 нм в зависимости от условий эксперимента [2]. По оценкам в [1] при таком соотношении "Xe источник" может быть использован в промышленной нанолитографии.Другой важный результат был получен в серии совместных измерений интенсивности EUV излучения из плазмы и поглощения в ней лазерной энергии при перемещении Xe мишени вдоль оси луча так, что диаметр освещаемой зоны (т. е. диаметр плазменного образования) изменялся от Dpl = 47 мкм вблизи фокуса до Dpl = 300-400 мкм в расфокусированном луче по обе стороны от фокуса. В противоположность общепринятому мнению оказалось, что обе измеряемые величины имеют максимумы не в районе фокуса, где максимальна интенсивность лазерного облучения, а в расфокусированном луче, причем глубина вариаций, например, EUV излучения составляет от 4-6 до 10-11 раз в зависимости от длины волны [3]. Выполненный в этом исследовании анализ показал, что основной причиной такого поведения излучения и поглощения является гидродинамическое истечение вещества плазмы за пределы освещаемой зоны, которое ограничи...