AC Back Surface Recombination Velocity as Applied to Optimize the Base Thickness under Temperature of an (n<sup>+</sup>-p-p<sup>+</sup>) Bifacial Silicon Solar Cell, Back Illuminated by a Light with Long Wavelength

Abstract

The bifacial silicon solar cell, placed at temperature (T) and illuminated from the back side by monochromatic light in frequency modulation (ω), is studied from the frequency dynamic diffusion equation, relative to the density of excess minority carriers in the base. The expressions of the dynamic recombination velocities of the minority carriers on the rear side of the base Sb1(D(ω, T); H) and Sb2(α, D(ω, T); H), are analyzed as a function of the dynamic diffusion coefficient (D(ω, T)), the absorption coefficient (α(λ)) and the thickness of the base (H). Thus their graphic representation makes it possible to go up, to the base optimum thickness (Hopt(ω, T)), for different temperature values and frequency ranges of modulation of monochromatic light, of strong penetration. The base optimum thickness (Hopt(ω, T)) decreases with temperature, regardless of the frequency range and allows the realization of the solar cell with few material (Si).

Optimisation de l’épaisseur de la base de la photopile (n+/p/p+) au silicium en régime statique sous éclairement polychromatique : Influence de la température et du taux de dopage

“…Cette expression est graphiquement représentée en fonction de l'épaisseur (H), de la photopile de taux de dopage (Nb) donné et maintenue à la température (T). Cette technique appliquée, tient compte des conditions réelles de fonctionnement de la photopile, à travers la qualité spectrale de la lumière (polychromatique) à flux constant, du taux de dopage [16,20] et de la variation de la température [22][23][24] . L'épaisseur optimum (Hopt( D(Nb,T), bi) obtenue est ensuite modélisée en fonction de la température (T), pour différentes valeurs du taux de dopage (Nb) de la base de la photopile.…”