Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras

Estudo teórico da resistividade longitudinal de um poço quântico duplo com a presença do efeito Rashba

“…As linhas mais finais ilustram as bandas de energia propriamente ditas (espaço recíproco, direção kz), enquanto as linhas mais espessas ilustram as descontinuidades estruturais de energia devido à presença de diferentes materiais (espaço real, direção z). Observamos a formação de poços quânticos para as bandas de condução e de valência na região do material GaAs (figura retirada da referência [33]).…”

“…A heteroestrutura relevante para este trabalho é composta por semicondutores do tipo III-V. Esses materiais possuem estrutura cristalina do tipo zincblende (figura 2.1), onde as bandas de condução e valência relevantes surgem dos orbitais ligantes tipo-p e antiligantes tipo-s, respectivamente (figura 2.2). [33]). Orbitais degenerados de átomos isolados (cps(A) e <ps(B)) se aproximam, dando origem a dois novos estados.…”

“…Utilizando a função de onda dada em (2.34), obtemos através de cálculos variacionais que o potencial que minimiza a energia do Hamiltoneano acima é (ver páginas 39 e 40 da referência[33] por exemplo):…”