Advances in nanostructured thin film materials for solar cell applications

Ali, Nisar; Hussain, Arshad; Abdiche, A.; Wang, M.K.; Zhao, Chao; Haq, Bakhtiar Ul; Fu, Yong Qing

doi:10.1016/j.rser.2015.12.268

Cited by 158 publications

(61 citation statements)

References 137 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Метод 3 заключался в расчете глубины половинного слоя ослабления рентгеновских лучей по формуле, представленной в [2]:…”

Section: объекты и методика экспериментаunclassified

“…Халькогениды цинка и особенно кадмия нашли широ-комасштабное наземное применение в тонкопленочных солнечных элементах (СЭ) [2,3] благодаря максималь-ному среди полупроводниковых материалов теоретиче-скому коэффициенту полезного действия (свыше 29% для CdTe и 17% для CdSe). Считается, что это обу-словлено большими значениями ширины запрещенной зоны (свыше 1 eV), оптимальными для фотоэлектриче-ского преобразования солнечного излучения в наземных условиях.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Сравнительный Анализ Толщины И Электрической Проводимости Тонких Халькогенидных Полупроводниковых Пленок

Даньшина¹,

Калистратова²

2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Проведено рентгенографическое исследование структуры и толщины полупроводниковых пленок халь-когенидов цинка и кадмия. Показано, что толщина пленок соизмерима с глубиной половинного слоя ослабления рентгеновских лучей. При нагревании в атмосфере водорода электрическая проводимость пленок увеличивается, а при нагревании в оксиде углерода уменьшается. Получена противоположная тенденция в соотношении величин электрической проводимости и ширины запрещенной зоны исходной и окисленной поверхностей пленок. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43970.174 ВведениеПолупроводниковые пленки имеют широкое приме-нение в области радиотехнической аппаратуры: в опто-электронных устройствах записи информации, для со-здания светодиодов с синим излучением, полупроводни-ковых лазеров, солнечных батарей и элементов систем лазерного телевидения. Параметры и характеристики приборов измерительной техники (например, термоэлек-трических измерительных устройств) улучшаются после нанесения пленки на поверхности преобразователей. Поэтому при изготовлении пленочных преобразовате-лей большое значение имеет технология получения как пленок с исходным составом, так и пленок определен-ной толщины. Пленки наносятся разными способами: термическим испарением в вакууме, катодным распы-лением, электронно-лучевым испарением, мгновенным (взрывным) испарением, химическим и электролитиче-ским осаждением и др. Пленки халькогенидных полупро-водников получаются преимущественно первыми тремя способами [1].Халькогениды цинка и особенно кадмия нашли широ-комасштабное наземное применение в тонкопленочных солнечных элементах (СЭ) [2,3] благодаря максималь-ному среди полупроводниковых материалов теоретиче-скому коэффициенту полезного действия (свыше 29% для CdTe и 17% для CdSe). Считается, что это обу-словлено большими значениями ширины запрещенной зоны (свыше 1 eV), оптимальными для фотоэлектриче-ского преобразования солнечного излучения в наземных условиях. При эксплуатации пленочных СЭ на основе халькогенидов кадмия в наземных условиях на их по-верхности происходит адсорбция газов -компонентов воздуха. В результате этого могут измениться рабо-чие характеристики СЭ. Поэтому всегда актуальными являются исследования как электрофизических свойств тонких полупроводниковых пленок, так и влияния адсор-бированных газов на эти свойства.Цель настоящей работы заключается в анализе влия-ния теплового воздействия и воздействия газовой среды при различных давлениях на электрическую проводи-мость тонких халькогенидных пленок кадмия и цинка. Объекты и методика экспериментаПолупроводниковые пленки халькогенидов цинка (ZnSe, ZnTe) и кадмия (CdSe, CdТe) были получены в установке вакуумного поста ВУП-4К в режиме ди-намического вакуума при давлении 0.133 mPа с помо-щью термического испарения при температуре конден-сации 298 K предварительно очищенных поликристалли-ческих образцов (T = 653 K) на подложки двух типов (керамика и германий) без дополнительного подогрева подложек. При нагревании халькогениды цинка и кадмия могут разделяться на отдельные компоненты, которые испаряются с разными ск...

show abstract

Section: объекты и методика экспериментаunclassified

Section: Introductionunclassified

Сравнительный Анализ Толщины И Электрической Проводимости Тонких Халькогенидных Полупроводниковых Пленок

Даньшина¹,

Калистратова²

2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Their preliminary work on this graded bandgap devices showed over 10% efficiency with extremely high J sc~4 8 mA/cm 2 . In the case of organic-inorganic NCs hybrid solar cells, metal oxides have the ability to attain high efficiency as they have several scales of pores which may shorten the carrier diffusing length [83]. Using different passivation layers (ZnSe or CdS) and changing different metal oxide thicknesses are also possible ways of improving the efficiency of CdTe NC-based solar cells [84,85].…”

Section: Perspectives and Conclusionmentioning

confidence: 99%

Recent Progress on Solution-Processed CdTe Nanocrystals Solar Cells

Hao

Xie

et al. 2016

Applied Sciences

View full text Add to dashboard Cite

Solution-processed CdTe nanocrystals (NCs) photovoltaic devices have many advantages, both in commercial manufacture and daily operation, due to the low-cost fabrication process, which becomes a competitive candidate for next-generation solar cells. All solution-processed CdTe NCs solar cells were first reported in 2005. In recent years, they have increased over four-fold in power conversion efficiency. The latest devices achieve AM 1.5 G power conversion efficiency up to 12.0%, values comparable to those of commercial thin film CdTe/CdS solar cells fabricated by the close-space sublimation (CSS) method. Here we review the progress and prospects in this field, focusing on new insights into CdTe NCs synthesized, device fabrication, NC solar cell operation, and how these findings give guidance on optimizing solar cell performance.

show abstract

“…It leads to increase in the effective diffusion length of minority carrier, which ultimately leads to poor solar cell performance [19]. Ali et al [20] have reported that voids can adversely affect the electrical and optical properties of the films. Hence, both agglomeration and voids are not desired.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%